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J-GLOBAL ID:201702245791832816   整理番号:17A1560780

高誘電性能のためのBi_2S_3@SiO_2ナノロッドを用いた高分子ナノ複合材料:半導体-絶縁体コア-シェルナノ構造における界面分極の役割の理解【Powered by NICT】

Polymer-based nanocomposites employing Bi2S3@SiO2 nanorods for high dielectric performance: Understanding the role of interfacial polarization in semiconductor-insulator core-shell nanostructure
著者 (7件):
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巻: 151  ページ: 25-33  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0433A  ISSN: 0266-3538  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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先進高分子を使った誘電体複合材料はエレクトロニクスと電力系統におけるコア材料である。コア-シェル構造の構築は誘電特性とエネルギー貯蔵性能を劇的に強化するための強力な戦略として証明されている。ここで,シェルの厚さを変えたコア-シェル構造の非晶質SiO_2カプセル化Bi_2S_3ナノロッドはポリ(フッ化ビニリデン)(PVDF)マトリックス中の充填剤として用い,Bi_2S_3@SiO_2/PVDFナノ複合材料が得られた。Bi_2S_3/PVDFと比較して充填剤負荷の関数としてSiO_2シェル厚さを変えてBi_2S_3@SiO_2/PVDF複合材料の誘電挙動を研究した。Bi_2S_3@SiO_2コア-シェル構造は劇的に誘電損失(<0.04)を抑制し,伝導率高誘電率を維持するまだで減少した。SiO_2シェル厚を制御することによりBi_2S_3@SiO_2~PVDF界面を調節する誘電挙動を変化させることができる。誘電および電気的性質に及ぼすSiO_2シェルと生じるBi_2S_3@SiO_2界面の影響をMaxwell-Wagner-Sillarsモデルに基づく界面電荷計算によって研究した。複合材料の誘電挙動を決定する半導体-絶縁体界面分極の役割を理解した。非常に低減した誘電損失のために,Bi_2S_3@SiO_2/PVDFナノ複合材料は,高電場に耐えることができ,エネルギー貯蔵容量と効率に関する研究を導電性充填剤を持つポリマ複合材料で実現した。この研究は,ポリマ複合材料の高い誘電率を維持するが,高性能誘電体を達成するための有望なルートを提供する誘電損失を抑制するコア-シェル構造のロバストな効果を実証した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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強化プラスチックの成形 

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