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J-GLOBAL ID：201702245883717697   整理番号：17A1723964

WS2インキの過渡的光学的性質における励起子トリオン相互作用の追跡【Powered by NICT】

Tracking exciton-trion interplay in the transient optical properties of WS2 inks

著者 (5件)： Pogna Eva A. A. (Physics Department, Politecnico di Milano, 2 P.zza L. da Vinci, I-20133 Milano, Italy) ,  Gadermaier Christoph (Department of Complex Matter, Jozef Stefan Institute, Jamova 39, 1000 Ljubljana, Slovenia) ,  Del Rio Castillo Antonio E. (Graphene Labs, Istituto Italiano di Tecnologia, Via Morego 30, IT 16163 Genova, Italy) ,  Cerullo Giulio (Physics Department, Politecnico di Milano, 2 P.zza L. da Vinci, I-20133 Milano, Italy) ,  Bonaccorso Francesco (Graphene Labs, Istituto Italiano di Tecnologia, Via Morego 30, IT 16163 Genova, Italy)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： CLEO/Europe-EQEC  ページ： 1  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移金属ジカルコゲン化物(TMD)は,グラファイト様構造で結晶化する異方性材料,カルコゲン原子の二つの六方晶面間に挟まれた遷移金属原子の六方晶面からなる各層であった。弱い層間van der Waals結合は安定な二次元(2D)結晶を分離するために破壊することができた。広範囲の技術はバルクからの極端に異なる電子的および光学的性質[1]と2D TMDを製造するために開発した。これらの中で,液相剥離(LPE)[2 3]は工業レベルへのスケールアップのための有望なアプローチであることを実証した。グラフェンのものに相補的な特性を提供するのでTMDの2Dバージョンは,オプトエレクトロニクス応用に大きな関心を集めている。赤外および可視範囲でかなり大きな電子ギャップを持ち,単層限界で直接から間接バンドギャップ半導体への遷移が起こる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *励起子 ,  グラファイト ,  オプトエレクトロニクス ,  二次元 ,  *光学的性質 ,  単一層 ,  結晶 ,  酸素族元素 ,  スケールアップ ,  *インク ,  六方晶系 ,  グラフェン ,  遷移金属
準シソーラス用語： 間接バンドギャップ ,  *トリオン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (6件)： インキ ,  光学的性質 ,  励起子 ,  トリオン ,  相互作用 ,  追跡