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J-GLOBAL ID：201702245950130335   整理番号：17A0998185

将来の高電力RF応用のためのLg波50nmゲートInAlN/AlN/GaNH EMTのDCおよびマイクロ波特性【Powered by NICT】

DC and microwave characteristics of Lg 50nm T-gate InAlN/AlN/GaN HEMT for future high power RF applications

著者 (3件)： Murugapandiyan P. (Department of Electronics and Communication Engineering, Ariyalur Engineering College, Melakaruppur, Tamilnadu, India) ,  Ravimaran S. (Department of Electrical and Computer Science, M.A.M College of Engineering, Trichy, India) ,  William J. (Department of Electronics and Communication Engineering, M.A.M College of Engineering and Technology, Trichy, India)
資料名： AEUe  (AEUe)
巻： 77  ページ： 163-168  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0447A  ISSN： 1434-8411  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高濃度ドープn+GaNソースとドレイン領域を持つSiC基板上にL_g=50nmのTゲートInAlN/AlN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)のDCおよびマイクロ波特性をシノプシスTCADツールを用いて実証した。提案したデバイスは,AlNスペーサ層を特徴とし,AlGaNバックバリアとSiN表面不動態化。提案したHEMTは1.8mmの最大ドレイン電流密度,118/210GHzの650mS/mmとft/fmaxのピーク相互コンダクタンス(g_m)を示した。で室温測定したキャリア移動度,シート電荷キャリア密度(n_s)と破壊電圧それぞれ1195cm~/Vs,1.6×10~13cm~ 2と18Vである。提案したHEMTのsuperlativesは特にWバンド(75 110GHz)高電力RF応用における将来のモノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)応用のためのbewitching競合した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ドーピング ,  *窒化アルミニウム ,  スペーサ ,  *窒化ガリウム ,  相互コンダクタンス ,  HEMT ,  キャリア移動度 ,  MMIC
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  ドレイン電流 ,  表面不動態化 ,  窒化アルミニウムガリウム ,  TCAD ,  *マイクロ波特性 ,  *高電力 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： H EMT ,  2DEG ,  バックバリア ,  カットオフ周波数 ,  DCおよびマイクロ波特性

分類 (1件)： アンテナ  (ND06000M)

タイトルに関連する用語 (10件)： 高電力 ,  RF ,  応用 ,  Lg波 ,  ゲート ,  InAlN ,  AlN ,  EMT ,  DC ,  マイクロ波特性