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J-GLOBAL ID:201702246042085264   整理番号:17A1623461

ZnOナノワイヤの成長とその応用CdS量子ドット増感太陽電池【Powered by NICT】

Growth of ZnO nanowires and their applications for CdS quantum dots sensitized solar cells
著者 (6件):
資料名:
巻: 149  ページ: 63-68  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0251A  ISSN: 0030-4026  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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化学浴析出(CBD)法によってITO導電性ガラス基板上に成長させたZnOナノワイヤは,CdS量子ドット増感太陽電池(QDSSCs)を組み立てるための光アノードとして使用した。ZnOナノワイヤの成長機構とCdS QDSSCの光起電力性能を調べた。結果は,c軸配向シード層と成長過程を[0001]方向に沿ったZnOナノワイヤの優先的配列に寄与することを示す。ナノワイヤの平均の長さと直径は成長時間が長くなると共に増加し,最大アスペクト比は9時間で20.56であった。ZnOナノワイヤ上に堆積したCdS量子ドットは吸光度を向上させ,可視領域への吸収範囲を拡張した。より高いアスペクト比のZnOナノワイヤはCdS QDSSCのエネルギー変換効率(η)を効果的に増加させると,最高のηはアスペクト比20.56の0.401%であった。このような太陽電池では,短絡電流密度はZnOナノワイヤーの,より多くの電子-正孔対と強い光トラッピング効果のために著しく改善された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
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原子・分子のクラスタ  ,  半導体薄膜  ,  金属結晶の電子伝導 
タイトルに関連する用語 (5件):
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