文献

J-GLOBAL ID：201702246062344606   整理番号：17A1181698

両極性SnO薄膜トランジスタにおけるキャリア捕獲異方性【Powered by NICT】

Carrier trapping anisotropy in ambipolar SnO thin-film transistors

著者 (3件)： Luo Hao (Division of Functional Materials and Nano Devices, Ningbo Institute of Material Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo 315201, People’s Republic of China) ,  Liang Lingyan (Division of Functional Materials and Nano Devices, Ningbo Institute of Material Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo 315201, People’s Republic of China) ,  Cao Hongtao (Division of Functional Materials and Nano Devices, Ningbo Institute of Material Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo 315201, People’s Republic of China)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 129  ページ： 88-92  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異方性キャリア捕獲挙動は両極性一酸化すず(SnO)薄膜トランジスタ(TFT)を実証した。一方,TFTは,負ゲートバイアスストレス(NGBS)下で伝達特性でほぼ変化と良好な安定性を示さなかった。一方,正のゲートバイアスストレス(PGBS)の下で,伝達曲線は電界効果移動度とサブしきい値電圧スイングの劣化なしに平行および正のシフトを示した。異なる正の応力電圧および温度により誘起されたターンオン電圧シフトの応力-時間発展が伸ばされた指数モデルで記述できた。緩和時間は室温で0.43eVの活性化エネルギーで1.6×10~4sであることが検出され,PGBS下で両極性SnO TFTは非晶質インジウム-ガリウム-亜鉛オキシドを基本とするTFTの安定性に近づくことを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 時間発展 ,  *異方性 ,  非晶質 ,  電圧 ,  *薄膜トランジスタ ,  酸化スズ ,  緩和時間 ,  *キャリア捕獲 ,  活性化エネルギー
準シソーラス用語： 指数モデル ,  ターンオン電圧 ,  サブ閾値 ,  電界効果移動度 ,  伝達特性 ,  *両極性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 一酸化すず ,  両極性薄膜トランジスタ ,  ゲートバイアスストレス

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 両極性 ,  薄膜トランジスタ ,  キャリア捕獲 ,  異方性