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J-GLOBAL ID：201702246180056972   整理番号：17A0831556

不動態化した接触シリコン太陽電池におけるトンネル酸化物層の不動態化特性【Powered by NICT】

Passivation properties of tunnel oxide layer in passivated contact silicon solar cells

著者 (11件)： Kim Hyunho (Department of Materials Science and Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul, 136-713, Republic of Korea) ,  Bae Soohyun (Department of Materials Science and Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul, 136-713, Republic of Korea) ,  Ji Kwang-sun (Energy & Environment Materials & Devices Team, Materials & Devices Advanced Research Institute, LG Electronics, 38 Baumoe-ro, Seocho-gu, Seoul 137-724, Republic of Korea) ,  Kim Soo Min (Department of Materials Science and Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul, 136-713, Republic of Korea) ,  Yang Jee Woong (Department of Materials Science and Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul, 136-713, Republic of Korea) ,  Lee Chang Hyun (Department of Materials Science and Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul, 136-713, Republic of Korea) ,  Lee Kyung Dong (Department of Materials Science and Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul, 136-713, Republic of Korea) ,  Kim Seongtak (Department of Materials Science and Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul, 136-713, Republic of Korea) ,  Kang Yoonmook (KU-KIST Green School, Graduate School of Energy and Environment, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul, 136-713, Republic of Korea) ,  Lee Hae-Seok (Department of Materials Science and Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul, 136-713, Republic of Korea) ,  Kim Donghwan (Department of Materials Science and Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul, 136-713, Republic of Korea)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 409  ページ： 140-148  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 全裏面電界(BSF)に基づいた先進高効率シリコン太陽電池の不動態化接触が厚さ2nm以下であることをトンネル酸化物層の応用に基づいて報告した。開回路電圧(V_oc)は,トンネル酸化物層の挿入による界面不動態化によって顕著に向上した。酸化物層成長の間に,亜酸化物のような,遷移領域は酸化けい素層とシリコン基板間の成長界面における約0.75nmの深さで観察された。2nm以下厚トンネル酸化物層の性質は主に遷移領域の特性による影響を受けた。トンネル酸化物層の不動態化特性は,酸化物の物理的性質に依存するはずである。界面トラップ密度D_itは不動態化における重要なパラメータである,作製とポストアニーリング条件により強く影響を受けている,酸化物の化学量論によって影響される。a-Si:H薄膜(ドープした層を形成する結晶化の目的のための)の熱処理の間,薄膜ブリスタリングは平らな基板表面上の水素噴散のために起こる。この挙動を最小化するために,表面形態とアニーリングプロファイルを制御しようとしている。passivataed接触構造の不動態化品質は900°C以上でアニールした試料に対して減少した。この低下はトンネル酸化物層の局所破壊でなく,リン拡散によると判断された。トンネル酸化物層の抵抗率は900°C以上でアニールした試料に対して急激に減少した。これらに基づいて,740mV以上意味V_ocはアニーリング条件を最適化することによる酸化物化学量論の制御によるn型Siウエハで達成された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *太陽電池 ,  化学量論 ,  *不動態化 ,  電気抵抗率 ,  *酸化物 ,  薄膜 ,  焼なまし ,  ドーピング ,  酸化ケイ素 ,  水素 ,  界面 ,  リン
準シソーラス用語： 表面形態 ,  *酸化物層 ,  *シリコン太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： トンネル酸化物 ,  不動態化された接触 ,  不動態化 ,  ブリスタリング ,  太陽電池

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 不動態化 ,  シリコン太陽電池 ,  トンネル ,  酸化物層