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J-GLOBAL ID：201702246193719580   整理番号：17A0203672

PD(111)表面への三の吸着解離と表面吸着HとOの影響【JST・京大機械翻訳】

Surface Chemistry of Ga(CH_3)_3 on Pd(111) and Effect of Pre-covered H and O

著者 (4件)： Ding Liangbing (Department of Chemical Physics, University of Science and Technology of China) ,  Ma Yunsheng (Department of Chemical Physics, University of Science and Technology of China) ,  Hu Jie (Department of Chemical Physics, University of Science and Technology of China) ,  Chen Bohao (Department of Chemical Physics, University of Science and Technology of China)
資料名： Chinese Journal of Chemical Physics  (Chinese Journal of Chemical Physics)
巻： 29  号： 5  ページ： 591-599  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2010A  ISSN： 1674-0068  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： PD(111)表面上の三の吸着および解離挙動を,X線光電子分光法(XPS)および昇温示差熱分析(TPD)によって研究し,そして,表面吸着HおよびOの影響を研究した。その結果,吸着温度が140Kのとき,三はPD(111)上で解離し,表面種はGA(CH_3)_X(X=L,2,3)およびCH_X種であることがわかった。加熱はGAのメチル化合物中のGA-C結合を段階的に破壊し、異なる温度でCH_4とH_2が表面から脱離した。同時に、XPS結果により、275~325Kの温度範囲内にGAメチル化化合物の分子脱離が存在することが証明された。アニーリング温度がより高いとき,表面は,炭素と金属GA種のみを観察し,それらは,温度の上昇とともに,徐々にバルク相に拡散した。PD(111)表面上のOとHの吸着は,上記の吸着と解離挙動に顕著な影響を及ぼした。表面にHを吸着させると、CH_4とH_2の脱着は主に315Kに位置し、一の解離脱着に帰属できる。表面にOを吸着させた時、258KでCH_4とH_2の脱附峰が観察され、PD-O-GA(CH3)2の吸着構造の解離に由来する可能性がある。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 示差熱分析 ,  メチル化 ,  炭素 ,  X線光電子分光法 ,  昇温 ,  脱着 ,  *吸着
準シソーラス用語： 吸着構造 ,  アニーリング温度 ,  温度範囲 ,  *表面吸着 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： Ga(CH_3)_3 ,  Pd(111) ,  Adsorption ,  Decomposition ,  X-ray photoelectron spectroscopy ,  Temperature programmed desorption spectroscopy

分類 (2件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P) ,  貴金属触媒  (CB06122I)

タイトルに関連する用語 (4件)： Pd ,  吸着 ,  解離 ,  表面吸着