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J-GLOBAL ID：201702246287703070   整理番号：17A1520659

冶金法による太陽準位多結晶シリコンのカップリング研究を調製した。【JST・京大機械翻訳】

Coupling of Metallurgical Method to Remove Impurities in Solar Grade Polycrystalline Silicon

著者 (9件)： Li Pengting (大連理工大学材料科学与工程学院,大連116024;大連理工大学遼寧省太陽能光伏系統重点実験室,大連116024) ,  Wang Kai (大連理工大学材料科学与工程学院,大連116024;大連理工大学遼寧省太陽能光伏系統重点実験室,大連116024) ,  Jiang Dachuan (大連理工大学材料科学与工程学院,大連116024;大連理工大学遼寧省太陽能光伏系統重点実験室,大連116024) ,  Ren Shiqiang (大連理工大学材料科学与工程学院,大連116024;大連理工大学遼寧省太陽能光伏系統重点実験室,大連116024) ,  Tan Yi (大連理工大学材料科学与工程学院,大連116024;大連理工大学遼寧省太陽能光伏系統重点実験室,大連116024) ,  An Guangye (大工(青島)新能源材料技術研究院有限公司,青島,266200) ,  Zhang Lei (大工(青島)新能源材料技術研究院有限公司,青島,266200) ,  Guo Xiaoliang (大工(青島)新能源材料技術研究院有限公司,青島,266200) ,  Wang Feng (大工(青島)新能源材料技術研究院有限公司,青島,266200)
資料名： Wuji Cailiao Xuebao  (Wuji Cailiao Xuebao)
巻： 32  号： 3  ページ： 281-286  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2432A  ISSN： 1000-324X  CODEN： WCXUET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 工業用ケイ素を原料とし、媒質溶解、一方向凝固と電子ビーム融解の三種類の溶融処理技術を利用して、工業シリコン中のB、Pと金属不純物を除去し、99.9999%の多結晶シリコン材料を調製した。不純物BとPの含有量はそれぞれ0.20 ppmw(parts per million(weight)、百万分の一)より低く、金属不純物の総含有量(TM)は0.23 ppmwより低かった。研究結果により、不純物Bの除去において、メルト中で酸化還元反応が発生し、大部分の不純物AlとCaを有効に除去できることが分かった。電子ビーム融解プロセスにおいて,飽和蒸気圧の原理を用いて,揮発性不純物P,Al,Caを効果的に除去することができ,同時に,多結晶シリコンの一方向凝固を誘導し,他の金属不純物をさらに除去することができた。本研究では、各技術間のカップリングにより、冶金法による多結晶シリコンの精製工程を減少させ、連続化、スケール化生産に技術サポートを提供した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ポリシリコン ,  カルシウム ,  電子ビーム融解 ,  メルト ,  ケイ素 ,  *冶金 ,  酸化還元反応 ,  溶解 ,  揮発性 ,  アルミニウム ,  一方向凝固 ,  連続化 ,  不純物
準シソーラス用語： 飽和蒸気圧 ,  金属不純物 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： industrial silicon ,  medium melting ,  directional solidification ,  electron beam melting

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 冶金 ,  太陽 ,  多結晶シリコン ,  カップリング ,  研究 ,  調製