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J-GLOBAL ID：201702246289466976   整理番号：17A1350272

Cu相互接続技術のための超薄拡散障壁としてのBEOL互換性のある2次元層状材料【Powered by NICT】

BEOL compatible 2D layered materials as ultra-thin diffusion barriers for Cu interconnect technology

著者 (5件)： Lo Chun-Li (School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN 47907, United States) ,  Zhang Shengjiao (School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN 47907, United States) ,  Shen Tingting (Department of Physics and Astronomy, Purdue University, West Lafayette, IN 47907, United States) ,  Appenzeller Joerg (School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN 47907, United States) ,  Chen Zhihong (School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN 47907, United States)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： DRC  ページ： 1-2  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TaとTi関連物質に基づく拡散障壁は,ダマシン構造へのCu拡散を軽減するためのCu相互接続技術に使用されている。VLSI回路のスケーリングと,Cu相互接続スケーリングも求められている。線抵抗のトレンチ中のCu量を最大にするために,拡散障壁の厚さを低減しなければならない。しかし,それらの厚さが~3nm以下に減少,従来のバリア材料はCu拡散を阻止する能力を失い,Fig.1(a),集積回路の誤動作をもたらす。本研究では,サブ1nm以下のスケールである可能性を持つ,2次元層状材料は代替拡散障壁として検討した。さらに,Cu/2D障壁ハイブリッドの抵抗率も調べた。さらに,低k誘電体上に直接成長させたバックエンドオブライン(BEOL)-適合性グラフェンを実証し,相互接続技術への2D材料を導入することの実現可能性を示している。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *拡散障壁 ,  電気抵抗率 ,  *積層材料 ,  *互換性 ,  タンタル ,  *銅 ,  適応性 ,  *相互接続 ,  集積回路 ,  *二次元 ,  グラフェン
準シソーラス用語： 低k誘電体 ,  バリア材 ,  ダマシン ,  *BEOL , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： Cu ,  相互接続 ,  拡散障壁 ,  BEOL ,  互換性 ,  2次元 ,  層状材料