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J-GLOBAL ID：201702246323543129   整理番号：17A1391400

インバータ伝送ゲート構造のための効果的な電流モデルと回路設計への応用【Powered by NICT】

Effective Current Model for Inverter-Transmission Gate Structure and Its Application in Circuit Design

著者 (3件)： Sharma Arvind (Department of Electronics and Communication Engineering, IIT Roorkee, Roorkee, India) ,  Alam Naushad (Department of Electronics Engineering, Aligarh Muslim University, Aligarh, India) ,  Bulusu Anand (Department of Electronics and Communication Engineering, IIT Roorkee, Roorkee, India)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 10  ページ： 4002-4010  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,インバータとそれに続くスイッチング軌跡に基づく伝送ゲート構造(Inv Tx)で有効なスイッチング電流モデル(I_eff)を提案した。インバータまたはNAND/NORゲート,I_effは転倒(上昇)遷移のためのnMOSFET(pMOSFET)電流のみに依存するとは異なり,Inv Tx細胞のnMOSFETとpMOSFET電流の関数である。提案したモデルは,異なる技術ノード(例えば,180nm,130nm,65nm)での供給電圧とファンアウトの広い範囲のためのHSPICEシミュレーションにより検証した。モデルはHSPICEシミュレーションと比較して,平均(最大)誤差7%(11%)の遷移遅延値を予測した。32nm技術ノードでSynopsys TCAD Sentaurusシミュレーションはまた,基本的なモデル仮定を検証するために用いた。本モデルの有用性を実証するために,レイアウト依存性効果と反転-微小-幅効果を組み込みながら,いくつかの代表的な回路の設計を提示した。最後に,256X1マルチプレクサ,トランジスタサイズとレイアウト,静的Dフリップフロップ提案したモデルを用いて最適化は,従来の設計方法論上のこれらの回路の性能を著しく改善することを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *回路設計 ,  シミュレーション ,  双安定回路 ,  スイッチング ,  *電流 ,  最適化 ,  *モデル ,  多重装置
準シソーラス用語： TCAD ,  HSPICE ,  ファンアウト ,  供給電圧 ,  pMOSFET ,  nMOSFET ,  NAND , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： インバータ ,  ゲート ,  モデル ,  回路設計 ,  応用