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J-GLOBAL ID：201702246343358337   整理番号：17A1262377

300°Cでのアニーリングによるプラスチック酸化物薄膜トランジスタと回復における曲げ応力誘起性能変化【Powered by NICT】

Bending Stress Induced Performance Change in Plastic Oxide Thin-Film Transistor and Recovery by Annealing at 300 °C

著者 (5件)： Hasan Md Mehedi (Advanced Display Research Center and the Department of Information Display, Kyung Hee University, Seoul, South Korea) ,  Billah Mohammad Masum (Advanced Display Research Center and the Department of Information Display, Kyung Hee University, Seoul, South Korea) ,  Naik Mude Narendra (Advanced Display Research Center and the Department of Information Display, Kyung Hee University, Seoul, South Korea) ,  Um Jae Gwang (Advanced Display Research Center and the Department of Information Display, Kyung Hee University, Seoul, South Korea) ,  Jang Jin (Advanced Display Research Center and the Department of Information Display, Kyung Hee University, Seoul, South Korea)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 8  ページ： 1035-1038  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 15μmポリイミド基板上の非晶質インジウム-ガリウム-酸化亜鉛(a IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)の性能に及ぼす繰返し引張曲げの効果を報告した。曲げ方向はa-IGZO TFTの電流経路に垂直または平行であった。曲げ時間を増加させると,伝達曲線は負のゲート電圧方向にシフトした。シフトが長いチャネル長TFTのための小さいことを指摘した。TFT伝達曲線技術コンピュータ支援設計シミュレーションを行い,ドナーとアクセプタ状態は10K曲げ後に,それぞれ,2.5×10~17と0.4×10~17cm~ 3によることを見出した。伝達曲線の回収率はアニーリング温度の変動としてストレスTFTの熱アニーリングによって研究し,性能は1hの300°Cでの熱アニーリングにより完全に回復することができた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  ドナー ,  *焼なまし ,  *曲げ応力 ,  アクセプタ ,  *プラスチック ,  CAD【計算機】 ,  非晶質 ,  酸化亜鉛
準シソーラス用語： 熱アニーリング ,  アニーリング温度 ,  チャネル長 ,  ゲート電圧 ,  電流経路 ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： アニーリング ,  プラスチック ,  酸化物薄膜 ,  トランジスタ ,  回復 ,  曲げ応力 ,  誘起