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J-GLOBAL ID：201702246376231027   整理番号：17A1565655

X線回折により明らかにした中程度に高温で照射した3C-SiCの非晶質化【Powered by NICT】

The amorphization of 3C-SiC irradiated at moderately elevated temperatures as revealed by X-ray diffraction

著者 (6件)： Boulle A. (Science des Procedes Ceramiques et Traitements de Surface, CNRS UMR 7315, Centre Europeen de la Ceramique, 12 rue Atlantis, 87068 Limoges, France) ,  Debelle A. (Centre de Sciences Nucleaires et de Sciences de la Matiere, Universite Paris-Sud, CNRS/IN2P3, Universite Paris-Saclay, 91405 Orsay, France) ,  Wallace J.B. (Lawrence Livermore National Laboratory, Livermore, CA 94550, USA) ,  Wallace J.B. (Department of Nuclear Engineering, Texas A&M University, College Station, TX 77843, USA) ,  Bayu Aji L.B. (Lawrence Livermore National Laboratory, Livermore, CA 94550, USA) ,  Kucheyev S.O. (Lawrence Livermore National Laboratory, Livermore, CA 94550, USA)
資料名： Acta Materialia  (Acta Materialia)
巻： 140  ページ： 250-257  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0316A  ISSN： 1359-6454  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3C-SiC中の放射線損傷蓄積の機構は十分に理解されていない。ここでは,数値シミュレーションとX線回折の組み合わせを用いて,500keVのArイオンによる25 200°Cの温度範囲で照射した3C-SiC中の放射線で誘発された歪みと格子損傷の深さプロフィルを研究した。結果は温度の上昇とともに増加し欠陥再結合を明らかにし,臨界非晶質化フルエンス0.17から0.44まで増加させる原子当たりの変位であった。非晶質化過程は格子歪の進展と相関していることが分かった。,非晶質化の開始に対応するフルエンスで,格子歪は~2%であり,温度に依存しないことを見出した。非晶質化の開始以上継続衝撃を用いて,結晶バルク中の歪が増加すると到達温度の上昇と共に7%から5%に減少することを飽和値。歪プロフィルに基づいて,結晶相中の点欠陥クラスタの有効濃度の深さプロフィルを計算した。より高い温度での衝撃は,強化された欠陥移動度を示す低い最大欠陥濃度をもたらした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 移動度 ,  フルエンス ,  アルゴン ,  結晶 ,  深さプロフィル ,  *アモルファス化 ,  イオン ,  *X線回折 ,  再結合 ,  格子歪 ,  *高温 ,  衝撃 ,  放射線
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  *3C-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (3件)： X線回折 ,  3C-SiC ,  非晶質化