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J-GLOBAL ID：201702246391012431   整理番号：17A1961440

Sb/p SiC界面の物理化学的性質【Powered by NICT】

Physicochemical properties of the Sb/p-SiC interface

著者 (4件)： Grodzicki Milosz (Institute of Experimental Physics, University of Wroclaw, pl. Maxa Borna 9, 50-204 Wroclaw, Poland) ,  Mazur Piotr (Institute of Experimental Physics, University of Wroclaw, pl. Maxa Borna 9, 50-204 Wroclaw, Poland) ,  Wasielewski Radoslaw (Institute of Experimental Physics, University of Wroclaw, pl. Maxa Borna 9, 50-204 Wroclaw, Poland) ,  Ciszewski Antoni (Institute of Experimental Physics, University of Wroclaw, pl. Maxa Borna 9, 50-204 Wroclaw, Poland)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 146  ページ： 216-220  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学組成,p型SiC(0001)表面上のアンチモン吸着層の構造的および電子的性質の包括的研究を本報告で示した。すべてのプロセスと測定は,超高真空条件下でin situで実行した。,紫外光電子分光法(UPS)によって決定した清浄基板の電子親和力は2.8eVであった。p-SiCの(1 × 1)構造を低エネルギー電子回折(LEED)によって明らかにした。アンチモンの吸着後,p-SiC基板とSbの相互混合をX線光電子分光法(XPS)により排除された。LEEDパターンを示さないSb膜の仕事関数は4.55eVであった。Sb/SiC界面のSchottky障壁高さは1.2eVと計算された。300°C以上の温度でSb脱着後SbO_x化合物の形でSbの少量は表面0.4eV真空レベルの低下を引き起こし,3.1eVまでの電子親和性の増加に留まっていた。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： X線光電子スペクトル ,  X線光電子分光法 ,  化学組成 ,  仕事関数 ,  低速電子回折 ,  電子親和力 ,  吸着 ,  脱着 ,  超高真空 ,  Schottky障壁 ,  *炭化ケイ素 ,  アンチモン ,  *界面
準シソーラス用語： Schottky障壁高さ ,  UPS【電子分光】 ,  吸着層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 炭化けい素 ,  アンチモン ,  Schottky障壁 ,  金属-半導体接合

分類 (5件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  非金属材料へのセラミック被覆  (YC02040K) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  防食  (WB03040M) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (4件)： Sb ,  SiC ,  界面 ,  物理化学的性質