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J-GLOBAL ID:201702246542098214   整理番号:17A0407422

2Dナノシート多様な1DナノロッドへのZnOの合成と簡単な水熱合成によるそれらの構造,表面積,光電流,光学および光触媒特性【Powered by NICT】

Preparation of ZnO from 2 D nanosheets to diverse 1 D nanorods and their structure, surface area, photocurrent, optical and photocatalytic properties by simple hydrothermal synthesis
著者 (9件):
資料名:
巻: 695  ページ: 2563-2579  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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二次元(2 D)ZnOナノシートと一次元(1 D)花芽状,様々な先端を持つ手榴弾のような,プリズム状,竹状,ブラシ状,矢のような,鉛筆状,ドリップパイプ,野球用バット状の,歯車状,棒状,テーパー,シャトル状で,及び/又は中空塔状ZnOナノロッド(ナノチューブ)は,CO(NH_2)2N_2H_4系からの簡単な水熱法により合成した。すべての試料は,ZnOのウルツ鉱型構造を示した。N_2H_4の量またはCO(NH_2)2の減少を増加させると,ZnOの異なる面の格子面間隔が増加するか,同時に減少した。FTIRはS1のナノシートを除いて,他の全てのサンプルが純粋であることを示した。S8の平均反射率は,450~550nmの波長範囲で約85%に達し,S3の反射率は約75%であった。S1S8からのZnOのE値はそれぞれ,3.234%,3.215%,3.223%,3.215%,3.230%,3.243%,3.230と3.234eVであった。S1とS2のRamanスペクトルはS3S8のそれとは明らかに異なっていた。ZnO試料のPLスペクトルは,S1 S7の支配的なUV発光ピーク,特にS1,S2及びS4のそれを示した。N_2H_4の添加はZnO表面上の欠陥を抑制することができる。しかし,CO(NH_2)2の減少は,欠陥を紹介した。BET表面積はS1(55.3 m~2/g)を除いて,S5はS2S8の表面積の対称分布の中心であることを示した。上述の考察から,密度,UV発光のPL強度,およびZnOナノロッドのBET表面積はN_2H_4とCO(NH_2)2の濃度を制御することによって容易に調整することができる。光電流密度S1S8の平均値はそれぞれ0.059,0.170,0.137,0.184,0.215,0.091,0.465及び0.152μA/cm2であった。S4,S2とS7は迅速な光触媒活性を有し,それぞれ50分以内にMBの65%,55%および50%を分解した。S3,S4,S5,S6およびS7の平均直径の順序は光触媒効率のそれと一致し,極性(002)面および/またはナノロッド先端は光触媒活性に影響することを示した。CO(NH_2)2の量の減少は,欠陥,S8の光触媒活性に影響を与えるを紹介した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (9件):
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太陽電池  ,  無機化合物のルミネセンス  ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  ,  分析機器  ,  半導体の結晶成長  ,  気体燃料の製造  ,  ダイオード  ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  ,  酸化物薄膜 

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