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J-GLOBAL ID：201702246543772484   整理番号：17A1356836

SRAM物理的複製困難関数からの100%安定な鍵を生成するための残留データを基礎としたアプローチ【Powered by NICT】

A data remanence based approach to generate 100% stable keys from an SRAM physical unclonable function

著者 (5件)： Liu Muqing (Department of ECE, University of Minnesota, Minneapolis, United States of America) ,  Zhou Chen (Department of ECE, University of Minnesota, Minneapolis, United States of America) ,  Tang Qianying (Department of ECE, University of Minnesota, Minneapolis, United States of America) ,  Parhi Keshab K. (Department of ECE, University of Minnesota, Minneapolis, United States of America) ,  Kim Chris H. (Department of ECE, University of Minnesota, Minneapolis, United States of America)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISLPED  ページ： 1-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SRAMセルの始動値は独特であり,ランダム,複製不可能,トランジスタ間の固有のプロセス不整合によって決定される。これらの特性は,暗号化鍵を生成するための魅力的な回路をSRAMにしている。しかし,SRAMベース鍵生成のための主要な課題は,この回路が不規則雑音,温度及び電圧変化,及びデバイスエージングを受けるときの乏しい安定性である。時間多数決投票(TMV)とビットマスキングは,以前の研究で使用した不安定なまたはわずかに安定なSRAMセルの位置を同定し,貯蔵した。しかし,TMVは長い試験時間と有意なハードウェア資源を必要とする。添加では,最も安定な細胞を発見するために必要な反復パワーアップの数が非常に高かった。TMVの欠点を克服するために,著者らは信頼できる鍵生成のための高い安定性を有するSRAMセルを検出するための新しいデータ残留磁気に基づく技術を提案した。この方法はわずか二残留試験:全アレイに「1」(または「0」)を記述と瞬間的に少数の細胞フリップまで電力を停止を必要とする。反対データで書かれた時に容易にフリップした細胞が最もロバストな細胞であるという事実を利用した。提案した方法は,1,000出力上昇試験とTMV方式よりも大きなSRAMアレイにおける最も安定な細胞を発見するのにより効果的であった。実験研究は,提案したデータ残留磁気法を用いた512Kbit SRAMから発生した256ビット鍵である種々の温度,電力ランプアップ時間,及びデバイスエージングで安定で100%であることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： トランジスタ ,  不規則雑音 ,  残留磁化 ,  不整合 ,  電圧変動 ,  *SRAM ,  電力 ,  暗号 ,  *複製 ,  ロバスト性 ,  ハードウェア
準シソーラス用語： 実験研究 ,  多数決投票 ,  鍵生成 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： SRAM ,  物理 ,  複製 ,  関数 ,  鍵 ,  残留 ,  基礎