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J-GLOBAL ID：201702246563611388   整理番号：17A1036135

低電力Z2 FETキャパシタレス1T-DRAM【Powered by NICT】

Low-Power Z2-FET Capacitorless 1T-DRAM

著者 (17件)： Parihar Mukta Singh ,  Lee Kyung Hwa ,  El Dirani Hassan ,  Navarro Carlos ,  Lacord Joris ,  Martinie Sebastien ,  Barbe Jean-Charles ,  Fonteneau Pascal ,  Galy Philippe ,  Le Royer Cyrille ,  Mescot Xavier ,  Gamiz Francisco ,  Cheng Binjie ,  Asenov Asen ,  Taur Yuan ,  Bawedin Mayline ,  Cristoloveanu Sorin
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IMW  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,その動作を記述する詳細にZ2 FETキャパシタレス1T-DRAMの特徴を明らかにした。FDSOI技術を用いて作製したZ2 FETメモリセルは室温で大きな電流センスマージンに沿った長い保持時間を示した。多数の測定を実証したDRAMは0.5Vプログラミング電圧でも魅力的な電流マージンを達成できることを確認した。この場合,消費電力も書き込み電流を制限することにより減少した。上述の利点と共に著しく小さいオフ状態電流はこのデバイスを低電力埋込みDRAM応用のための適切な候補である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 記憶素子 ,  電圧 ,  *DRAM ,  電流 ,  消費電力 ,  保持時間 ,  計算機プログラミング
準シソーラス用語： 埋込みDRAM ,  オフ状態 ,  FDSOI ,  *低電力化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 低電力 ,  FET ,  DRAM