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J-GLOBAL ID：201702246566005699   整理番号：17A0769217

非平衡Green関数法における電子密度の誘導体と収束の性能向上への応用【Powered by NICT】

Derivative of Electron Density in Non-Equilibrium Green’s Function Technique and Its Application to Boost Performance of Convergence

著者 (6件)： YUAN Ze (Institute of Microelectronics,Tsinghua University) ,  CHEN Zhi-Dong (Institute of Microelectronics,Tsinghua University) ,  ZHANG Jin-Yu (Institute of Microelectronics,Tsinghua University) ,  HE Yu (Institute of Microelectronics,Tsinghua University) ,  ZHANG Ming (Institute of Microelectronics,Tsinghua University) ,  YU Zhi-Ping (Institute of Microelectronics,Tsinghua University)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 26  号： 11  ページ： 184-187  発行年： 2009年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非平衡Green関数(NEGF)法を用いて,量子機械的シミュレータの開発のための固体基礎を提供した。しかし,収束は常に大きな関心が寄せられている。NEGFの枠組みの中で電気ポテンシャルに関する電子密度の正確な誘導体を得るために一般的な解析的定式化を提示した。この定式化は,デバイスシミュレーションにおける非局所量子現象に関する物理的洞察を提供するだけでなく,NEGF方程式とPoisson方程式を自己無撞着に解いた場合の収束の性能を高めるためにPoisson方程式を解く新しいスキームを設定するために用いることができる。この方法はN (++)N +N(++)抵抗の簡単な一次元の例によって説明した。全シミュレーション時間と反復数は大きく減少した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電位 ,  一次元 ,  定式化 ,  シミュレーション ,  *電子密度 ,  シミュレータ ,  Poisson方程式
準シソーラス用語： デバイスシミュレーション ,  *非平衡Green関数 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (1件)： 英語キーワードはない

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  電子輸送の一般理論  (BM03020C)

タイトルに関連する用語 (6件)： 非平衡Green関数 ,  電子密度 ,  誘導体 ,  収束 ,  性能向上 ,  応用