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J-GLOBAL ID：201702246687792897   整理番号：17A0375636

クリプトメラン型酸化マンガンへのひ酸塩への亜ひ酸塩の酸化に及ぼす酸素空格子点欠陥の巨大な効果【Powered by NICT】

Tremendous effect of oxygen vacancy defects on the oxidation of arsenite to arsenate on cryptomelane-type manganese oxide

著者 (11件)： Hou Jingtao (State Key Laboratory of Silicate Materials for Architectures, Wuhan University of Technology, 122 Luoshi Road, Wuhan 430070, China) ,  Hou Jingtao (School of Environmental and Biological Engineering, Wuhan Technology and Business University, Wuhan 430065, China) ,  Hou Jingtao (School of Resources and Environmental Engineering, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, China) ,  Luo Jinglin (School of Environmental and Biological Engineering, Wuhan Technology and Business University, Wuhan 430065, China) ,  Hu Zhongqiu (School of Environmental and Biological Engineering, Wuhan Technology and Business University, Wuhan 430065, China) ,  Li Yuanzhi (State Key Laboratory of Silicate Materials for Architectures, Wuhan University of Technology, 122 Luoshi Road, Wuhan 430070, China) ,  Mao Mingyang (State Key Laboratory of Silicate Materials for Architectures, Wuhan University of Technology, 122 Luoshi Road, Wuhan 430070, China) ,  Song Shaoxian (School of Resources and Environmental Engineering, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, China) ,  Liao Qingling (School of Environmental and Biological Engineering, Wuhan Technology and Business University, Wuhan 430065, China) ,  Li Qingzhu (Department of Environmental Engineering, School of Metallurgy and Environment, Central South University, Changsha 410083, China) ,  Li Qingzhu (Chinese National Engineering Research Centre for Control and Treatment of Heavy Metal Pollution, Changsha 410083, China)
資料名： Chemical Engineering Journal  (Chemical Engineering Journal)
巻： 306  ページ： 597-606  発行年： 2016年 
JST資料番号： D0723A  ISSN： 1385-8947  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 良性及び低コスト酸化剤として酸化マンガンはAs(III)のAs(V)への酸化のための広く研究されているが,そのAs(III)酸化速度はAs(V)種生成し,共存イオンの熱力学的に有利な吸着に起因して妨げやすい。ここでは,クリプトメレーン型マンガン酸化物(OMS 2)中の酸素空格子点欠陥(OVD)の濃度を調整することによるAs(III)酸化活性を増加させる大きくの新規戦略を開発した。OMS-2上へのAs(III)酸化のバッチ実験の結果は,OMS-2中の酸素空格子点欠陥の濃度を増加させる特異的As(III)酸化速度を増加させる0.12から0.22μ~ 2分~ 1ことを示し,As(III)酸化活性へのAs(V)吸着の好ましくない影響を劇的に減少させた。As(III)酸化活性に及ぼすOMS-2におけるOVDの大きな影響の起源は,OMS-2上へのAs(III)とAs(V)種,零電荷(pH-PZC)のポイント,溶液中に溶解したMn~2+イオンの濃度の変化,および密度汎関数理論(DFT)計算の吸着によって実験的に調べ,理論的にである。結果は,OMS-2のOVDの存在は,OMS-2より熱力学的に有利な上へのAs(III)の吸着をもたらすだけではなく,Mn原子へのAs(III)からの電荷移動を促進し,As(III)酸化活性を著しく改善することを明らかにした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電荷移動 ,  *ヒ酸塩 ,  電荷 ,  *酸化 ,  *亜ヒ酸塩 ,  密度汎関数法 ,  *マンガン ,  熱力学 ,  *酸化マンガン ,  吸着
準シソーラス用語： 競争吸着 ,  バッチ実験 ,  クリプトメレン ,  酸化速度 ,  *酸素空格子点 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 酸素空格子点欠陥 ,  クリプトメラン型マンガン酸化物 ,  As(III)の酸化 ,  酸化速度論速度 ,  競争吸着

分類 (2件)： 吸着,イオン交換  (XD02060I) ,  用水の物理的処理  (SC02030T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 酸化マンガン ,  ひ酸塩 ,  亜ひ酸塩 ,  酸化 ,  酸素空格子点 ,  欠陥