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J-GLOBAL ID：201702246728266289   整理番号：17A1961453

Czochralski発明を用いた半導体の世界への寄与の寿命【Powered by NICT】

A lifetime of contributions to the world of semiconductors using the Czochralski invention

著者 (1件)： Razeghi M. (Center for Quantum Devices, Department of Electrical Engineering and Computer Science, Northwestern University, Evanston, IL 60208, USA)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 146  ページ： 308-328  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 私の経歴の過程で,Iは,電磁スペクトル(紫外へのテラヘルツ)の広大な領域上での半導体結晶成長と高性能オプトエレクトロニクスに関連した多くの寄与を行った。2016では,これはヨーロッパの材料研究学会からJan Czochralski金メダル賞を私の受信に蓄積した。本論文では,歴史的展望とこれらの科学的業績の一般的概要を提供するように設計され,この賞による名誉に思うの機会である。これらの成果は高品質結晶基板をされなかったであろうし,この論文では,彼の重要な発見の100~周年にJan Czochralskiの名誉で書かれている。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： テラヘルツ波 ,  結晶 ,  結晶成長 ,  オプトエレクトロニクス ,  ヨーロッパ ,  *半導体 ,  スペクトル
準シソーラス用語： 高品質 ,  半導体成長 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Czochralski ,  結晶成長 ,  半導体 ,  III-V ,  オプトエレクトロニクス

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (2件)： 世界 ,  寿命