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J-GLOBAL ID：201702246778702356   整理番号：17A0888717

書込み増幅と温度に基づくSSD耐久性モデルの調査【Powered by NICT】

Exploring SSD endurance model based on write amplification and temperature

著者 (4件)： Hui Sun (Institute of Advance Computer System (IACS), School of Computer Science & Technology, Anhui University, China) ,  Guodong Chen (Institute of Advance Computer System (IACS), School of Computer Science & Technology, Anhui University, China) ,  Xu Liang (Institute of Advance Computer System (IACS), School of Computer Science & Technology, Anhui University, China) ,  Wei Liu (Institute of Advance Computer System (IACS), School of Computer Science & Technology, Anhui University, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IGSC  ページ： 1-5  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NANDフラッシュベースSSD(SSD耐久性)の書き込み耐久性は貯蔵システムにおけるデータ信頼性に必須である。先の研究により,SSD耐久性を確実にするために異なるアプローチに集中した。本論文では,著者らは,書込み増幅と温度に基づくSSD耐久性を調べた。SSD耐久性はNANDフラッシュの耐久性書込み,NANDフラッシュにおけるP/Esの限られた数に依存するによって決定される。より利用可能なSSDにおけるP/Es a NANDフラッシュは,より高い耐久性はSSD特性化した。これら利用可能なP/Esは,書込みアンプリフィケーションと温度により影響される。大書込み増幅はNANDフラッシュにおけるP/Esの利用可能な数を着用し,データ誤差,SSD耐久性を劣化させる。動作温度はFowler-Nordheimトンネリング機構,フローティングゲートトランジスタ(FGT)のトンネル絶縁酸化物層中に捕捉される電子を引き起こすに影響する。これらの捕獲された電子は,FGTにおけるデータ蓄積破壊の確率を増加させることができる。SSD耐久性に及ぼす書込み増幅と運転温度の異なる影響を調査する動機,設計者より有用な情報を提供するために,SSD耐久性モデルを提案した。このようにして,新しい方法は貯蔵システムにおけるSSD耐久性を保証するために実行できる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： トンネル効果 ,  *耐久性 ,  キャラクタリゼーション ,  データ蓄積 ,  信頼性 ,  運転温度 ,  酸化物層 ,  NAND ,  NANDフラッシュメモリ
準シソーラス用語： 動作温度 ,  NANDフラッシュ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 書込み ,  増幅 ,  SSD ,  モデル ,  調査