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J-GLOBAL ID：201702246782613971   整理番号：17A1722636

高出力狭線幅1180nm GaInNAs DBR-LDの性能と寿命【Powered by NICT】

Performance and lifetime of high-power narrow-linewidth 1180 nm GaInNAs DBR-LDs

著者 (5件)： Viheriala Jukka (Tampere University of Technology, Optoelectronics Research Center, Korkeakoulunkatu 3, FI-33720 Tampere, Finland) ,  Aho Antti T. (Tampere University of Technology, Optoelectronics Research Center, Korkeakoulunkatu 3, FI-33720 Tampere, Finland) ,  Virtanen Heikki (Tampere University of Technology, Optoelectronics Research Center, Korkeakoulunkatu 3, FI-33720 Tampere, Finland) ,  Koskinen Mervi (Tampere University of Technology, Optoelectronics Research Center, Korkeakoulunkatu 3, FI-33720 Tampere, Finland) ,  Guina Mircea (Tampere University of Technology, Optoelectronics Research Center, Korkeakoulunkatu 3, FI-33720 Tampere, Finland)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： CLEO/Europe-EQEC  ページ： 1  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 利得材料としてのGaInNAs量子井戸を用いて調製した最高出力狭スペクトル1180nm分布Bragg反射器(DBR)レーザダイオードを報告した。特に,リッジ導波路(RWG)-DBRレーザダイオードからの560mWまでのCW出力パワーとテーパ付きDBR LDのための2.75Wまでを実証した。実証実験は高輝度黄色放射を発生させるための第二高調波発生(SHG)への応用を目標としている。RWG DBR LDはSHG結晶中に埋込んだ単一モードWGへの高効率結合を可能にする導波路SHG結晶のための最適光源である。一方,テーパ付きDBR LDはより光に耐え,導波路配列の必要性を軽減できることをバルクSHG結晶に適していることをパワーレベルを提供した。1180nm範囲を達成するために,GaAs導波路中に埋込んだ高品質のGaInNAs量子井戸,過去におけるレーザ動作における信頼性不良の認識されている材料システムを開発した。本症例では,GaInNAs RWG DBR LDのための予備的寿命試験は,1500mAの駆動電流で高電流駆動下での2000hours以上の室温動作の劣化の兆候を示さなかった。DBR部は[1]で記述したようにナノインプリントリソグラフィーを用いて定義した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,  スペクトル ,  導波路 ,  利得 ,  結晶 ,  量子井戸 ,  光源 ,  第二高調波発生 ,  リッジ導波管 ,  単一モード ,  *半導体レーザ ,  信頼性 ,  実証実験
準シソーラス用語： *ヒ化窒化ガリウムインジウム ,  *高出力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 非線形光学  (BD05000T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高出力 ,  線幅 ,  GaInNAs ,  DBR ,  LD ,  寿命