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J-GLOBAL ID：201702246796667889   整理番号：17A0579108

特異的な硫化ニッケル(NiS,NiS₂)ミクロ構造体のターゲット合成及び向上した水分解系に対する応用

Targeted Synthesis of Unique Nickel Sulfide (NiS, NiS₂) Microarchitectures and the Applications for the Enhanced Water Splitting System

著者 (8件)： LUO Pan (Chongqing Univ., Chongqing, CHN) ,  ZHANG Huijuan (Chongqing Univ., Chongqing, CHN) ,  LIU Li (Chongqing Univ., Chongqing, CHN) ,  ZHANG Yan (Chongqing Univ., Chongqing, CHN) ,  DENG Ju (Chongqing Univ., Chongqing, CHN) ,  XU Chaohe (Chongqing Univ., Chongqing, CHN) ,  HU Ning (Chongqing Univ., Chongqing, CHN) ,  WANG Yu (Chongqing Univ., Chongqing, CHN)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 3  ページ： 2500-2508  発行年： 2017年01月25日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水熱法により調製したNiS₂中空ミクロ構造体を水素発生反応(HER)に用いた場合,10mA/cm²の電流密度を得るための過電圧は,酸性媒体では174mV,アルカリ媒体中では148mVであり,Tafel傾斜はそれぞれ63mV/dec及び79mV/decと小さい値を示した。一方,厳密な熱制御により調製したNiS多孔性中空ミクロ構造を酸素発生反応(OER)に用いた場合,10mA/cm²の電流密度を得るための過電圧は320mVであった。カソードにNiS₂,アノードにNiSを用いた電解槽において,1.58Vの印加電圧で高い活性と良好な安定性を持つ水分解系を達成することができた。

シソーラス用語： *硫化ニッケル ,  微細構造 ,  *水素発生反応 ,  電流密度 ,  水素過電圧 ,  水熱合成 ,  *分解反応 ,  *水 ,  酸性 ,  塩基性 ,  Tafel式 ,  制御 ,  熱 ,  *酸素発生 ,  中空体 ,  多孔性 ,  カソード ,  アノード ,  電解槽 ,  電圧
準シソーラス用語： アルカリ溶液 ,  ミクロ構造 ,  印加電圧 ,  酸性溶液 ,  *酸素発生反応 ,  水熱法 ,  *水分解 ,  熱制御

分類 (1件)： 電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 硫化ニッケル ,  NIS ,  構造体 ,  ターゲット ,  水分解 ,  応用