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J-GLOBAL ID：201702246853825858   整理番号：17A1545215

化学的に堆積した立方晶SnS膜の変換SnS_2によるSnS_2薄膜の作製【Powered by NICT】

Preparation of SnS₂ thin films by conversion of chemically deposited cubic SnS films into SnS₂

著者 (4件)： U. Chalapathi (Department of Electronic Engineering, Yeungnam University, 280 Daehak-ro, Gyeongsan-si, Gyeongsangbuk-do, South Korea) ,  B. Poornaprakash (Department of Electronic Engineering, Yeungnam University, 280 Daehak-ro, Gyeongsan-si, Gyeongsangbuk-do, South Korea) ,  B. Purushotham Reddy (Department of Electronic Engineering, Yeungnam University, 280 Daehak-ro, Gyeongsan-si, Gyeongsangbuk-do, South Korea) ,  Park Si-Hyun (Department of Electronic Engineering, Yeungnam University, 280 Daehak-ro, Gyeongsan-si, Gyeongsangbuk-do, South Korea)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 640  ページ： 81-87  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラファイトボックス中の硫黄雰囲気下で化学的に堆積した立方晶SnS膜をアニーリングすることによってSnS_2薄膜の成長について報告する。化学的に堆積したSnS膜は,200 550°Cの温度範囲でアニールしたSnS_2にSnSの転化率に及ぼすその影響を理解した。X線回折分析では,200 250°Cの温度範囲でアニールした堆積したままのSnS膜は小さいSnS_2相の形成と共に支配的なSnS相を示した。300°Cでアニールした膜はSnSとSnS_2の混合相を含んでいた。350から500°Cまでのアニーリング温度を上昇させるだけで支配的なSnS_2相の形成をもたらした。さらにアニーリング温度を550°Cに上げると優先配向として(001)を持つ六方晶構造を有する高度に配向したSnS_2膜の形成をもたらした。SnS_2薄膜の微結晶サイズはアニーリング温度を350°Cから550°Cへの17nmから25nmに増加することが分かった。格子パラメータは0.365nmおよび0.592nmであることが分かった。Raman分光分析は,350°C以上のアニーリング温度で単相SnS_2膜の形成を確認した。形態学的研究は,350°C以上の温度での焼なましによって丸い形状の結晶粒の変換フレーク状にを示した。これらのフレークはアニーリング温度を350°Cから500°Cへのサイズで増加した。これらSnS_2膜の直接光学バンドギャップは2.58eVであることが分かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 焼なまし ,  フレーク ,  微結晶 ,  モルフォロジー ,  *薄膜 ,  光学ギャップ ,  格子定数 ,  優先配向 ,  硫黄 ,  Raman分光分析 ,  X線回折分析 ,  結晶粒 ,  六方晶系
準シソーラス用語： アニーリング温度 ,  温度範囲 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： SnS_2薄膜 ,  化学浴析出 ,  アニーリング ,  Raman解析 ,  光吸収

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 化学 ,  堆積 ,  立方晶 ,  SNS ,  薄膜 ,  作製