文献

J-GLOBAL ID：201702246947982680   整理番号：17A1503109

分子ドープした高分子における移動度の厚さ依存性について【Powered by NICT】

About mobility thickness dependence in molecularly doped polymers

著者 (4件)： Tyutnev A.P. (National Research University Higher School of Economics, 20 Miasnitskaya Ulitsa, Moscow 101000, Russia) ,  Weiss D.S. (Molecular Glasses, Inc., 1667 Lake Ave., Rochester, NY 14615-3047, United States) ,  Saenko V.S. (National Research University Higher School of Economics, 20 Miasnitskaya Ulitsa, Moscow 101000, Russia) ,  Pozhidaev E.D. (National Research University Higher School of Economics, 20 Miasnitskaya Ulitsa, Moscow 101000, Russia)
資料名： Chemical Physics  (Chemical Physics)
巻： 495  ページ： 16-22  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0167B  ISSN： 0301-0104  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 30wt%p-ジエチルアミノベンズアルデヒドヒドラゾン(DEH)をドープしたビスフェノール-A-ポリカルボナート(PC)の自立膜における厚さに正孔移動度の依存性を調べた。飛行時間(TOF)実験におけるキャリア生成は2~50keVの範囲における単一エネルギー電子のパルスを供給する電子銃を用いた電子衝撃によるドーパント分子の直接イオン化によって達成された。ドーパントイオン化の位置は電子エネルギーに依存し,三TOF変異体が最近開発され,本研究で使用した。正孔移動度は一般的に飛行後の電流減衰輸送過程は定常状態に近づくことを示しの同時加速による膜厚の増加とともに減少し,このプロセスは,このモデルが予測するよりもわずかに速く起こることを見出した。数値計算を実験データと比較した。結果を詳細に論じた。結果と光注入法に依存する文献で一般に報告されているそれらの表面上矛盾した解釈を調和させる方法を提案した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *移動度 ,  数値計算 ,  イオン化 ,  電子銃 ,  キャリア生成 ,  *ドーピング ,  膜厚 ,  電子衝突 ,  モデル ,  ドーパント ,  輸送現象
準シソーラス用語： 電子エネルギー ,  正孔移動度 ,  自立膜 ,  *厚み依存性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 飛行時間法 ,  電子銃 ,  2層多重トラッピングモデル ,  実験結果と理論

分類 (5件)： 物理化学一般その他  (CB01030T) ,  光化学一般  (CB08010U) ,  四環以上の炭素縮合多環化合物  (CF06090C) ,  分子化合物  (CE02000C) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分子 ,  ドープ ,  高分子 ,  移動度 ,  厚さ依存性