Ga_2O_3ナノワイヤにSnO_2ナノ構造の3次元および2次元成長:合成と構造キャラクタリゼーション【Powered by NICT】

Alonso-Orts M.; Sanchez A. M.; Lopez I.; Nogales E.; Piqueras J.; Mendez B.

文献

J-GLOBAL ID：201702246962285619 整理番号：17A1639853

Ga_2O_3ナノワイヤにSnO_2ナノ構造の3次元および2次元成長:合成と構造キャラクタリゼーション【Powered by NICT】

3D and 2D growth of SnO₂ nanostructures on Ga₂O₃ nanowires: synthesis and structural characterization

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資料名：
巻： 19 号： 41 ページ： 6127-6132 発行年： 2017年
JST資料番号： W2462A ISSN： 1466-8033 CODEN： CRECF4 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

本研究では,異なる形状および次元数,それらの物理的特性,特に表面特性に影響されるものに影響する可能性がある種々のGa_2O_3/SnO_2ナノ集合体を得るために使用されてきた簡単な熱蒸発法。それらの成長機構を理解するために,得られたナノ構造は電子顕微鏡関連技術を用いて特性化した。金属ガリウムと酸化すず粉末の両方を前駆体として用いることにより,SnO_2ナノ粒子またはSnO_2準二次元板で修飾したGa_2O_3ナノワイヤ(直線または分岐)は2.5であり,8.0と15.0時間のための動的熱アニーリング後に生成した。短い処理において,Ga_2O_3ナノワイヤ表面あるいは欠陥面でSn原子の蓄積は,高分解能TEM,SnO_2の更なる成長のための核形成サイトとして作用することを示唆しているが観察された。一方,より長い処理はGaドープSnO_2帯の形成,SnO_2ナノワイヤは最終的に出現を促進した。高分解能TEM画像および微量分析は,(200)SnO_2面でのGa蓄積は帯の地域で,Sn_2O_3のようないくつかの非化学量論的または中間体酸化スズ相を安定化できることを明らかにした。非化学量論的酸化スズの存在は応用に関連している,表面状態は酸化スズの物理化学的挙動に影響した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

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酸化物の結晶成長 , 酸化物薄膜 , 塩基,金属酸化物

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