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J-GLOBAL ID：201702246973718470   整理番号：17A1778638

極低温でのSiGeを基本とするH BTの動作【Powered by NICT】

Operation of sige HBTs at cryogenic temperatures

著者 (3件)： Rucker H. (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Korn J. (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Schmidt J. (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： BCTM  ページ： 17-20  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 極低温でのSiGeH BTの動作を実験的に及び理論的に研究した。は低温でコレクタ電流はベースを通る電子トンネリングに起因することを実証した。トランジスタ特性の温度依存性は低温でのトンネリング支配輸送に室温で従来の熱活性化輸送の転移を明らかにした。実験結果は,10Kで300Kと45000のピーク電流利得は8000であったH BTについて示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： トンネル効果 ,  *低温 ,  *極低温 ,  トランジスタ ,  温度依存性
準シソーラス用語： 電流利得 ,  熱活性化 ,  電子トンネル効果 ,  コレクタ電流 ,  *シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 極低温 ,  SiGe ,  BT