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J-GLOBAL ID：201702247007042366   整理番号：17A1101254

単結晶Siのイオン誘起変形における過渡損傷状態

Transient damage state in ion-induced deformation of single crystal Si

著者 (6件)： MINAGAWA H. (Kyoto Univ.) ,  NAKANISHI N. (Kyoto Univ.) ,  MAJIMA T. (Kyoto Univ.) ,  IMAI M. (Kyoto Univ.) ,  SAITO M. (Kyoto Univ.) ,  TSUCHIDA H. (Kyoto Univ.)
資料名： Annual Report of Quantum Science and Engineering Center  (Annual Report of Quantum Science and Engineering Center)
巻： 19  ページ： 11-12  発行年： 2017年07月 
JST資料番号： L6689A  ISSN： 1345-0700  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオン照射時に生じる単結晶Siの変形現象における過渡損傷状態を調べた。厚みが12μmのSiウエハに6.7MeVのCイオンを照射した。格子定数をその場X線回折により測定し,変形を調べた。格子膨張率はビーム加熱モデル計算から求めた熱膨張率よりも大きかった。これは格子膨張がFresnel対の不完全な再結合を通して生成されたIV面の生成に起因する可能性を示唆した。この欠陥は熱活性化過程により即座に消滅し,従って格子膨張は照射後に消える。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  単結晶 ,  *イオン照射 ,  *照射損傷 ,  変形 ,  ウエハ【IC】 ,  イオン ,  熱膨張 ,  膨張 ,  格子定数
準シソーラス用語： Siウエハ ,  格子膨張 ,  炭素イオン

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

引用文献 (2件)：

• H. Minagawa et al., Nucl. Instrum. Meth. B 372 (2016) 38.
• M. Tang et al., Phys. Rev. B 55 (1997) 14279.

タイトルに関連する用語 (4件)： 単結晶Si ,  イオン ,  誘起 ,  損傷