光誘起界面電荷移動による増強された光触媒H_2生産活性を有するCuS/g C_3N_4ナノ複合材料のその場製造【Powered by NICT】

Chen Tianjun; Song Chengjie; Fan Mingshan; Hong Yuanzhi; Hu Bo; Yu Longbao; Shi Weidong

文献

J-GLOBAL ID：201702247019183003 整理番号：17A0909224

光誘起界面電荷移動による増強された光触媒H_2生産活性を有するCuS/g C_3N_4ナノ複合材料のその場製造【Powered by NICT】

In-situ fabrication of CuS/g-C₃N₄ nanocomposites with enhanced photocatalytic H₂-production activity via photoinduced interfacial charge transfer

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資料名：
巻： 42 号： 17 ページ： 12210-12219 発行年： 2017年
JST資料番号： B0192B ISSN： 0360-3199 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

本研究では,新しいCuS/g C_3N_4複合光触媒を簡単なその場成長法により成功裏に調製した。,平均直径約10nmのCuSナノ粒子は,g C_3N_4の表面上に分散し,g C_3N_4ナノシートはナノサイズ材料のその場成長のための有望な担体であることを明らかにした。CuS/g C_3N_4複合材料は,純粋なg C_3N_4と比較して水分解からの高度に増強された可視光光触媒H_2進化を示した。2wt%CuS/g C_3N_4複合体光触媒H_2進化の最適光触媒活性は純粋なg C_3N_4より約13.76倍高かった。強化された光触媒活性は界面電荷移動(IFCT)に起因した。このシステムでは,g C_3N_4の価電子帯(VB)中の電子はCuSクラスタに直接移動し,Cu_2S部分CuSの減少を引き起こすことができ,それは光生成電子の分離と移動を促進する電子シンクおよび助触媒として作用することができる。CuS/Cu_2Sクラスタに蓄積した光誘起電子は効果的にH~+を還元H_2を生成した。g C_3N_4に基づく容易な方法を介してH_2の光触媒製造における貴金属の代替として低コストのCuSを構築するための可能性を提供する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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光化学一般 , 光化学反応

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