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J-GLOBAL ID：201702247027633190   整理番号：17A0499483

酸化シリセンにおける半Dirac半金属

Semi-Dirac semimetal in silicene oxide

著者 (5件)： Zhong Chengyong (School of Physics and Optoelectronics, Xiangtan University, Xiangtan, Hunan 411105, China. [e-mail]) ,  Chen Yuanping ,  Xie Yuee ,  Sun Yi-Yang ,  Zhang Shengbai
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 19  号： 5  ページ： 3820-3825  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半Dirac半金属は一方向に直線的なバンド分散を示し,直角方向には二次バンド分散を示す物質であり,従って運動量空間の同一点において無質量および質量をもつフェルミオンを含む。多くの興味ある物理特性が半Dirac半金属について予測されているが,このような物質を凝縮相で実現した例は稀である。いくつかのハネカム物質が容易に酸化され,または化学的に他の原子を吸着する事実に基づいて,本報はそれらのバンド構造をVI族元素の共有結合に基づく歪工学により修飾する方法を理論的に提唱した。化学式Si₂Oの酸化シリセンは半Dirac半金属の候補と予測した。本アプローチはグラフェン類似物質のバンド構造におよぼすp軌道フラストレーションの影響の解析および理解によって裏付けられた。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *半金属 ,  分散【dispersion】 ,  異方性 ,  フェルミオン ,  *バンド構造 ,  共有結合 ,  酸化ケイ素 ,  フラストレーション効果
準シソーラス用語： Diracフェルミオン ,  Si酸化物 ,  バンド分散 ,  酸化シリセン ,  電子バンド構造 ,  *半Dirac半金属 ,  歪効果

分類 (3件)： 電子構造一般  (BM02010K) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (3件)： 酸化 ,  シリセン ,  Dirac半金属