文献

J-GLOBAL ID：201702247044365377   整理番号：17A0214265

2次元ヘテロ接合層間トンネルFET(薄いTFET):理論から応用まで【Powered by NICT】

Two-dimensional heterojunction interlayer tunnel FET (Thin-TFET): From theory to applications

著者 (4件)： Li Mingda Oscar (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, NY 14850, USA) ,  Yan Rusen (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, NY 14850, USA) ,  Jena Debdeep (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, NY 14850, USA) ,  Xing Huili Grace (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, NY 14850, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 19.2.1-19.2.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元ヘテロ接合層間電界効果トランジスタ(Thin TFET)の概念と開発をレビューし,急峻なサブ閾値スイング(SS)と高オン電流を理論的に推定した。薄いTFETはWSe_2/SnSe_2積層ヘテロ構造を用いて実験的に実証されている,SSは状態と寄生MOSFETの界面トラップ密度によって制限されている可能性が最も高い。垂直スタッキング構造に起因して,薄いTFETは本質的に従来の側方ピンTFETと比較してより小さいゲート-ドレイン容量を持っている。言い換えると,これは薄いTFETにおける緩和されたMiller効果,回路の動的エネルギー散逸を減少させる結果になる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： MOSFET ,  二次元 ,  電流 ,  *ヘテロ接合 ,  エネルギー散逸 ,  FET【トランジスタ】 ,  界面トラップ ,  ヘテロ構造 ,  積層
準シソーラス用語： サブ閾値スイング ,  *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 2次元 ,  ヘテロ接合 ,  トンネルFET ,  TFET ,  理論 ,  応用