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J-GLOBAL ID：201702247115434701   整理番号：17A1441003

矩形波ストリッピングボルタンメトリーによるアルミニウム炭化ケイ素ナノ粒子修飾ガラス状炭素電極に基づく銅(II)の選択的定量【Powered by NICT】

Selective Determination of Copper (II) Based on Aluminum Silicon Carbide Nanoparticles Modified Glassy Carbon Electrode by Square Wave Stripping Voltammetry

著者 (6件)： Wu Y. L. (State Key Laboratory of Advanced Metallurgy, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, China) ,  Bai F. (State Key Laboratory of Advanced Metallurgy, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, China) ,  Yang T. (State Key Laboratory of Advanced Metallurgy, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, China) ,  Chen J. H. (School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, China) ,  Su L. (Research Center for Bioengineering and Sensing Technology, School of Chemistry and Biological Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, China) ,  Hou X. M. (State Key Laboratory of Advanced Metallurgy, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, China)
資料名： Electroanalysis  (Electroanalysis)
巻： 29  号： 10  ページ： 2224-2231  発行年： 2017年 
JST資料番号： T0736A  ISSN： 1040-0397  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 調製されたままのアルミニウムけい素炭化物(Al_4SiC_4)の形態と構造をX線回折(XRD)パターン,走査電子顕微鏡(SEM),透過型電子顕微鏡(TEM)およびUV-visスペクトルを用いて特性化した。Al_4SiC_4ナノ粒子修飾ガラス状炭素電極(GCE)をサイクリックボルタンメトリー(CV)および電気化学インピーダンス分光法(EIS)により調べた。これに基づいて,この新しい電極を初めて矩形波アノーディックストリッピングボルタンメトリー(SWASV)による痕跡量Cu~2+の検出に用いた。,支持電解質,pH値,析出電位と析出時間のような,金属イオンの電着とストリッピングに影響する電気化学パラメータも最適化した。結果はAl_4SiC_4修飾GCEはCu~2+の優れたストリッピング応答を示し,ストリッピングピーク応答は400~2200nMの範囲でCu~2+の濃度の増加と共に直線的に増加することを示した。最適条件下で微量のCu~2+に対してAl_4SiC_4修飾GCEの感度は1.49μAμM~ 1であり,検出限界(S/N=3)は2.76nMと推定された。より重要なことに,Al_4SiC_4修飾GCEは優れた安定性とCu~2+の電気化学的定量における他の共存金属イオンからの無視できる干渉を有していた。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *アルミニウム ,  最適条件 ,  アノーディックストリッピングボルタンメトリー ,  走査電子顕微鏡 ,  電着 ,  *ナノ粒子 ,  *炭化 ,  検出限界 ,  支持電解質 ,  *矩形波 ,  電気化学 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  *ストリッピングボルタンメトリー ,  金属イオン
準シソーラス用語： 電気化学インピーダンス分光法 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Al4SiC4 ,  Cu~2+ ,  電気化学的定量 ,  ストリッピングボルタンメトリー

分類 (2件)： 有機化合物の電気分析  (CC05034O) ,  分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (9件)： 矩形波 ,  ストリッピングボルタンメトリー ,  アルミニウム ,  炭化 ,  ケイ素ナノ粒子 ,  修飾 ,  ガラス状炭素電極 ,  銅 ,  定量