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J-GLOBAL ID：201702247134378371   整理番号：17A0759448

水素環境異方性熱エッチングによるInGaN/GaN MQWナノLEDの作製【Powered by NICT】

Fabrication of InGaN/GaN MQW nano-LEDs by hydrogen-environment anisotropic thermal etching

著者 (6件)： Ogawa Kohei (Sophia University, 7-1, Kioi-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 102-8554, Japan) ,  Hachiya Ryo (Sophia University, 7-1, Kioi-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 102-8554, Japan) ,  Mizutani Tomoya (Sophia University, 7-1, Kioi-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 102-8554, Japan) ,  Ishijima Shun (Sophia University, 7-1, Kioi-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 102-8554, Japan) ,  Kikuchi Akihiko (Sophia University, 7-1, Kioi-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 102-8554, Japan) ,  Kikuchi Akihiko (Sophia Nanotechnology Research Center, Sophia University, 7-1, Kioi-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 102-8554, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 3  ページ： ROMBUNNO.201600613  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III-窒化物半導体ナノ構造は,高性能・高機能光電子デバイスを実現するための魅力的な材料である。本研究では,水素環境異方性熱エッチング(HEATE)を用いたInGaN/GaN多重量子井戸(MQW)ナノ構造発光ダイオード(このナノLED)を作製した。HEATEは低圧水素環境下での(In)GaNの熱分解に基づいていることを低損傷異方性エッチング技術である。InGaN/GaN MQWこのナノLEDは後処理なしに良好な整流特性と青色発光を示したすべてのエッチング損傷を除去した。成功裏に作製したナノウォールおよびナノピラーLEDの最も狭いMQW横方向サイズは87~70nmであった。これらLEDはトップダウンプロセスにより作製した最小のInGaN/GaNベースのこのナノLEDの一つである。InGaN/GaNこのナノLEDのエレクトロルミネセンス画像3Vで動作した。(a)a軸ハニカムナノウォール,(b)m軸ナノウォールアレイ,(c)a軸ナノウォールアレイ,および(d)ナノピラーアレイ。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 発光ダイオード ,  整流 ,  材料 ,  熱分解 ,  多重量子井戸 ,  *水素 ,  エレクトロルミネセンス ,  *インジウム ,  *異方性 ,  画像 ,  *窒化ガリウム ,  *エッチング
準シソーラス用語： *InGaN ,  ナノピラー ,  ナノウォール , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： GaN ,  InGaN ,  発光ダイオード ,  多重量子井戸 ,  nanostructures ,  熱エッチング

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (9件)： 水素 ,  環境 ,  異方性 ,  エッチング ,  InGaN ,  GaN ,  MQW ,  LED ,  作製