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J-GLOBAL ID：201702247156746128   整理番号：17A1552894

個々のFeドープBi_2Se_3トポロジカル絶縁体ナノワイヤにおける固有強磁性と量子輸送転移【Powered by NICT】

Intrinsic ferromagnetism and quantum transport transition in individual Fe-doped Bi₂Se₃ topological insulator nanowires

著者 (14件)： Niu Wei (National Laboratory of Solid State Microstructures, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Du Kai ,  Wang Shuangbao ,  Zhang Minhao ,  Gao Ming ,  Chen Yongda ,  Liu Hao ,  Zhou Wei ,  Song Fengqi ,  Wang Peng ,  Xu Yongbing ,  Wang Xuefeng ,  Shen Jian ,  Zhang Rong
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 34  ページ： 12372-12378  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 時間反転対称性はトポロジカル絶縁体(TI)の磁気ドーピングによって破られる。Dirac点でのエネルギーギャップが形成され,このようにして,多数の表面キャリアを生成する。TIナノ構造はそれらの大きな表面-体積比,TI表面状態の寄与を高めるに由来する新奇表面輸送挙動を調べるための理想的なプラットフォームである。しかし,TIナノ構造への磁気ドーピングが挑戦されてきた,誘起された磁気挙動は解明されていない。ここでは,容易な化学気相蒸着を用いてFeドープBi_2Se_3ナノワイヤ~1at%のドーピング濃度を合成した。複合構造特性はFeドーパントの均一な分布を示した。低温磁気力顕微鏡は単一ナノワイヤにおける~40KのCurie温度と自発磁化の直接証拠を与えた。輸送測定は弱い反局在弱局在挙動から量子遷移を示した。全証拠はTIナノワイヤにおいて固有の強磁性とギャップトポロジカル表面状態の存在を示し,将来のメモリと磁気電気ナノデバイス応用への道を開いた。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 蒸着 ,  磁気 ,  低温 ,  ナノ構造 ,  *強磁性 ,  複合構造 ,  *ドーピング ,  *鉄 ,  *ナノワイヤ ,  Curie温度 ,  量子遷移 ,  ドーパント ,  エネルギーギャップ ,  *トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： *量子輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (7件)： Fe ,  ドープ ,  トポロジカル絶縁体 ,  ナノワイヤ ,  固有 ,  強磁性 ,  量子輸送