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J-GLOBAL ID：201702247248462064   整理番号：17A0571725

Cu₂ZnSnS₄系太陽電池に与える中間硫化物層の効果

Effect of the intermediate sulfide layer on the Cu₂ZnSnS₄-based solar cells

著者 (5件)： YU Seong Man (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  LIM Kwang-Soo (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  SHIN Dong-Wook (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  OH Tae-Sik (Sun Moon Univ., Asan, KOR) ,  YOO Ji-Beom (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 7  ページ： 5696-5702  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu/Sn/ZnとCu/SnS/Znの前駆物質を使って,Cu₂ZnSnS₄ (CZTS)薄膜太陽電池を作製した。両前駆物質は,マグネトロン・スパッタリングとそれに引き続く硫黄雰囲気中アニーリングで調製した。異なる前駆物質による,硫化中のCZTS薄膜の成長挙動とその特性を,X線回折,エネルギー分散分光法による走査電子顕微鏡法,及びRaman分光法で調べた。Cu/Sn/Zn前駆物質を使ったCZTS薄膜は不均質な成長を示し,V_ocなどの特性も劣化していた。対照的に,Cu/SnS/Zn前駆物質を使ったCZTS薄膜は表面に二次相の無い均一な成長を示し,電力変換効率は4.1%と良好であった。

シソーラス用語： *硫化物 ,  *太陽電池 ,  半導体薄膜 ,  *スズ化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  化合物半導体 ,  *銅化合物 ,  前駆体 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  *硫化 ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  Raman分光法 ,  *硫化銅 ,  硫化亜鉛 ,  電圧 ,  電流密度 ,  エネルギー変換効率 ,  銅 ,  スズ ,  亜鉛 ,  *多層膜 ,  *薄膜成長 ,  硫化水素 ,  窒素 ,  気圧
準シソーラス用語： 薄膜太陽電池 ,  *CZTS ,  開放電圧 ,  短絡電流密度 ,  電力変換効率 ,  硫化スズ

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： Cu2ZnSnS4 ,  太陽電池 ,  硫化 ,  物層