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J-GLOBAL ID：201702247342630524   整理番号：17A1727726

整列GaNナノ構造の制御された成長:ナノワイヤと針葉からの単一基板上にマイクロロッドへ【Powered by NICT】

Controlled growth of aligned GaN nanostructures: from nanowires and needles to micro-rods on a single substrate

著者 (8件)： Zhao Danna (Department of Electronic Science and Technology, Faculty of Electronic Information and Electrical Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116024, China. [e-mail]) ,  Huang Hui ,  Lv Rui ,  Chen Shunji ,  Guang Qiyilan ,  Zong Yang ,  Liu Zhe ,  Li Xiqing
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 80  ページ： 50781-50785  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一基板上の異なる種類の整列したGaNナノ構造(すなわち,ナノワイヤ,針状,ピラミッドとマイクロロッド)の同時成長を最初に同軸パイプライン構成による基板を横切るIII/V比を変えること自然により790°Cの低温で実現した。ナノ構造成長に及ぼす基板距離と成長圧力の影響を調べた。ナノワイヤマイクロロッドへの形態変化は,Ga元素から熱壁反応炉におけるGaN分子に変化するGa種の項で説明される。本研究では,低融点の異常な基板上に異なる種類のナノデバイスのオンチップ集積化のための有用である。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 低温 ,  *ナノ構造 ,  融点 ,  *ナノワイヤ ,  *窒化ガリウム ,  形態 ,  角錐 ,  *アラインメント ,  *ガリウム
準シソーラス用語： オンチップ ,  ナノデバイス ,  反応炉 ,  針状 ,  *マイクロロッド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (7件)： 整列 ,  GaN ,  ナノ構造 ,  成長 ,  ナノワイヤ ,  針葉 ,  マイクロロッド