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J-GLOBAL ID:201702247434202983   整理番号:17A1636996

2.4dB挿入損のGバンドSPSTスイッチと65nm CMOS技術における接地コプレーナ導波路折畳まれた結合線路トポロジーを用いた最小28.5dB分離【Powered by NICT】

A G-band SPST switch with 2.4-dB insertion loss and minimum 28.5-dB isolation using grounded co-planar waveguide folded coupled line topology in 65-nm CMOS technology
著者 (7件):
資料名:
巻: 2017  号: IMS  ページ: 1718-1721  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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低挿入損と高アイソレーションのためのGバンド単極単投(SPST)スイッチを65nm CMOS技術を用いて提案し,作製した。接地共平面導波路(GCPW)折畳み結合線トポロジーはスイッチ分離を改善し,その挿入損失を低下させ同時に開発した。このトポロジーに基づいて,このスイッチは,最小28.5dBアイソレーション(ISO)とGバンドにおける最小2.4dBの挿入損失(IL)を達成した。このスイッチはわずか0.0067mm~2チップ面積を消費する。著者の知る限りでは,このCMOS SPSTスイッチは,この周波数でのバルクCMOSプロセスで発表されたスイッチの中で最良の性能を達成した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (3件):
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その他の伝送回路素子  ,  トランジスタ  ,  継電器・スイッチ 

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