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J-GLOBAL ID：201702247439774624   整理番号：17A1721741

GaAs上に成長させたAlGaSbベース太陽電池:構造研究と素子性能【Powered by NICT】

AlGaSb-Based Solar Cells Grown on GaAs: Structural Investigation and Device Performance

著者 (8件)： Vadiee E. (Arizona State University, Tempe, AZ, USA) ,  Renteria E. (University of New Mexico, Albuquerque, NM, USA) ,  Zhang C. (Arizona State University, Tempe, AZ, USA) ,  Williams J. J. (Arizona State University, Tempe, AZ, USA) ,  Mansoori A. (University of New Mexico, Albuquerque, NM, USA) ,  Addamane S. (University of New Mexico, Albuquerque, NM, USA) ,  Balakrishnan G. (University of New Mexico, Albuquerque, NM, USA) ,  Honsberg C. B. (Arizona State University, Tempe, AZ, USA)
資料名： IEEE Journal of Photovoltaics  (IEEE Journal of Photovoltaics)
巻： 7  号： 6  ページ： 1795-1801  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2305A  ISSN： 2156-3381  CODEN： IJPEG8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 6.1Åファミリーに基づくGaSbと合金はいくつかの多重接合太陽電池設計の実現を可能にするGaAsのような基板上のメタモルフィック成長させることができた。GaAs基板上に成長させたAl_xGa_1- Sbベース単一接合太陽電池の分子線エピタクシー成長,結晶品質,およびデバイス性能を調べた。GaSbとGaAs間の大きな格子不整合に起因する貫通転位密度を最小化するための焦点はGaAs(001)基板上にAl_xGa_1-xSbの成長の最適化である。最適成長条件を用いて,異なるAl_x Ga_1_xSb組成の吸収層を持つ太陽電池を調べ,格子整合したGaSb基板上に成長させた対照細胞と比較した。GaAs基板上に成長させたGaSb,Al_0 15Ga_0 0.85Sb,Al_0 5Ga_0-0.5Sb太陽電池は,0.16,0.17および0.35Vの開路電圧を示した。さらに,格子不整合細胞はGaSb上に成長させた格子整合した対照細胞に匹敵するスペクトル応答を持つ有望なキャリア収集を実証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： MBE成長 ,  合金 ,  格子不整合 ,  *ヒ化ガリウム ,  最適化 ,  *アンチモン化ガリウム ,  *太陽電池 ,  格子整合
準シソーラス用語： キャリア収集 ,  スペクトル応答 ,  開回路電圧 ,  貫通転位密度 ,  結晶品質 ,  GaAs基板 ,  多重接合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAs ,  成長 ,  太陽電池 ,  研究