MOCVDで成長させた変成In<sub>0.25</sub>Ga<sub>0.75</sub>Asマトリックス中のInAs量子ドット

MINTAIROV S. A.; MINTAIROV S. A.; MINTAIROV S. A.; KALYUZHNYY N. A.; MAXIMOV M. V.; MAXIMOV M. V.; NADTOCHIY A. M.; NADTOCHIY A. M.; NADTOCHIY A. M.; NEVEDOMSKIY V. N.; ZHUKOV A. E.

文献

J-GLOBAL ID：201702247456737785 整理番号：17A0953639

MOCVDで成長させた変成In_0.25Ga_0.75Asマトリックス中のInAs量子ドット

InAs QDs in a Metamorphic In_0.25Ga_0.75As Matrix, Grown by MOCVD

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資料名：
巻： 51 号： 5 ページ： 672-678 発行年： 2017年05月
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

変成InGaAsマトリックス中のInAs量子ドットをGaAs基板上に1MOCVDで成長させた。量子ドットは波長1380~1400nmで室温発光した。成長条件と化学組成分布を見出した。そこでIn_xGa_1-xAsサブ層に転位がないことを含む変成バッファが約24.5%の固相のインジウム含有量で形成される。520°Cの成長温度で量子ドットをキャップするInGaAs層の成長条件見出した。また最良の結晶の完全性をより高い成長速度と固相のより低いインジウム含有量について観測した。これはバルク層の成長のその場測定と5nm厚層をもつ量子ドットの過成長に対する光ルミネセンスデータとの両方で確認された。キャッピング層が平面でないことを見出し,それは過成長におけるインジウム原子の直接移動によるかもしれない。量子ドットからのキャリアの熱励起は室温で記録された光ルミネセンススペクトルのマトリックス関連のピークの存在を導き,液体窒素温度でこのピークは消滅する。In_0.15Ga_0.85Asキャッピング層の使用は量子ドットの高い結晶の完全性の原因となる。これは液体窒素から室温まで温度を上げたとき低い励起準位での光ルミネセンス強度のわずかな変化によって確認した。

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半導体薄膜 , 半導体のルミネセンス

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MOCVDで成長させた変成In0.25Ga0.75Asマトリックス中のInAs量子ドット

MOCVDで成長させた変成In_0.25Ga_0.75Asマトリックス中のInAs量子ドット