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J-GLOBAL ID：201702247492753494   整理番号：17A1414800

溶液処理したアモルファスインジウム-ガリウム-亜鉛-酸化物薄膜トランジスタの不活性ガスアニーリング効果

Inert Gas Annealing Effect in Solution-Processed Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistors

著者 (2件)： LEE Seungwoon (Chungbuk National Univ., Cheongju, KOR) ,  JEONG Jaewook (Chungbuk National Univ., Cheongju, KOR)
資料名： Journal of the Korean Physical Society  (Journal of the Korean Physical Society)
巻： 71  号： 4  ページ： 209-214  発行年： 2017年08月31日 
JST資料番号： T0357A  ISSN： 0374-4884  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 韓国 (KOR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  膜 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  酸化物 ,  焼なまし ,  不活性ガス
準シソーラス用語： アモルファス膜

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 溶液処理 ,  アモルファス ,  インジウム ,  ガリウム ,  亜鉛 ,  酸化物薄膜 ,  トランジスタ ,  不活性ガス ,  アニーリング効果