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J-GLOBAL ID：201702247555236629   整理番号：17A0369312

NiをドープしたSnO_2のガス感知特性に及ぼすNiドーピング濃度の影響【Powered by NICT】

The effect of Ni doping concentration on the gas sensing properties of Ni doped SnO₂

著者 (4件)： Lin Zhidong (Provincial Key Laboratory of Plasma Chemistry & Advanced Materials, Wuhan Institute of Technology, Wuhan, PR China) ,  Li Na (Provincial Key Laboratory of Plasma Chemistry & Advanced Materials, Wuhan Institute of Technology, Wuhan, PR China) ,  Chen Zhe (Provincial Key Laboratory of Plasma Chemistry & Advanced Materials, Wuhan Institute of Technology, Wuhan, PR China) ,  Fu Ping (Provincial Key Laboratory of Plasma Chemistry & Advanced Materials, Wuhan Institute of Technology, Wuhan, PR China)
資料名： Sensors and Actuators. B. Chemical  (Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 239  ページ： 501-510  発行年： 2017年 
JST資料番号： T0967A  ISSN： 0925-4005  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NiドープSnO_2は二段階水熱処理及び焼成により調製し,XRD,TEMとBrunauer Emmett Teller N_2吸着-脱着分析によって特性化した。結果は,NiをドープしたSnO_2はSnO_2ナノ粒子の表面上のNi SnO_2から成るヘテロ構造,約10nmの高い比表面積と平均粒径を持つ多結晶正方晶である示した。NiドープSnO_2に基づくセンサは低作動温度で非常に良好なガス検出特性を示した。NiドープSnO_2のガスセンシング特性は低Niドーピング濃度(2 4mo1%)と改善されたが,Niドーピング濃度の更なる増加は,低伝導率によって劣化した応答をもたらした。2mo1%NiドープしたSnO_2と4mo1%NiドープしたSnO_2に基づくセンサに基づくセンサは,それぞれ,n-ブタノール及びホルムアルデヒドへの超高応答を示す良好な選択性を示した。これらのセンサを,n-ブタノールとホルムアルデヒドの選択的検出のための有望な候補である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： X線回折 ,  ナノ粒子 ,  *ドーピング ,  多結晶 ,  正方晶系 ,  比表面積 ,  センサ ,  キャラクタリゼーション ,  *ニッケル ,  脂肪族アルデヒド
準シソーラス用語： 伝導率 ,  平均粒子径 ,  ヘテロ構造 ,  水熱処理 ,  *ガス感知 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： SnO_2 ,  ガスセンシング ,  Niドープした ,  Selectivity

分類 (1件)： 分析機器  (CC02020S)

物質索引 (1件)： ホルムアルデヒド

タイトルに関連する用語 (4件)： Ni ,  ドープ ,  ガス感知 ,  ドーピング