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J-GLOBAL ID：201702247599371329   整理番号：17A0947578

SiC上にマイクロメータスケールのグラフェンを用いたフォトトランジスタの位置依存性及びミリメートルレンジ光検出

Position-dependent and millimetre-range photodetection in phototransistors with micrometre-scale graphene on SiC

著者 (7件)： SARKER Biddut K. (Purdue Univ., Indiana, USA) ,  CAZALAS Edward (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania, USA) ,  CHUNG Ting-Fung (Purdue Univ., Indiana, USA) ,  CHILDRES Isaac (Purdue Univ., Indiana, USA) ,  JOVANOVIC Igor (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania, USA) ,  JOVANOVIC Igor (Univ. Michigan, Michigan, USA) ,  CHEN Yong P. (Purdue Univ., Indiana, USA)
資料名： Nature Nanotechnology  (Nature Nanotechnology)
巻： 12  号： 7  ページ： 668-674  発行年： 2017年07月 
JST資料番号： W2059A  ISSN： 1748-3387  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 従来のグラフェンを用いた光検出器は局所検出に基づき,イルミネーションがグラフェン近傍で発生するので,大きい検出領域では位置感度を示さない。この制限を克服し,大きい検出領域で位置感度を示すことが重要である。本稿では,SiC基板上のグラフェン電界効果トランジスタ(GFET)の位置感度,非局所及び大領域の光応答を研究した。GFETを,非ドープSiC基板上への単層グラフェンの転移,電子ビームリソグラフィ,及び金属蒸着により製作した。集束レーザビームをデバイス上の種々の位置に照射すると同時に,デバイスの電気応答を測定した。光誘起電界効果光検出機構の理解のために,GFETをモデル化し,FEMシミュレーションを行った。また,位置依存性光応答のモデルを開発した。結果により,GFETの光応答が,非局所,位置感度及び大領域の光検出が可能であることを示した。

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  マイクロメータ ,  *グラフェン ,  *フォトトランジスタ ,  *依存性 ,  光検出 ,  FET【トランジスタ】 ,  応答 ,  レーザビーム ,  誘導 ,  計算機シミュレーション
準シソーラス用語： SiC ,  *位置依存性 ,  電界効果トランジスタ ,  光応答 ,  光誘起 ,  FEMシミュレーション

分類 (2件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (8件)： SiC ,  マイクロメータ ,  スケール ,  グラフェン ,  フォトトランジスタ ,  位置依存性 ,  レンジ ,  光検出