文献
J-GLOBAL ID:201702247692275444   整理番号:17A0974965

プラズマ促進CVD法によるα-MoO3の高均一性ウエーハスケールの合成

Highly uniform wafer-scale synthesis of α-MoO3 by plasma enhanced chemical vapor deposition
著者 (8件):
資料名:
巻: 28  号: 17  ページ: 175601,1-6  発行年: 2017年04月28日 
JST資料番号: W0108A  ISSN: 0957-4484  CODEN: NNOTER  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
この研究では,150°Cの低温で誘導結合プラズマ促進CVD系を利用して,Si/SiO2上にα-MoO3のウエハスケールの合成を初めて実現した。作成した試料の構造と一様性をRaman分光法と透過型電子顕微鏡法で調べた。さらに,プラズマ過程によるMoからα-MoO3の形成の仮想的機構を提案した。合成直後の試料上に電子ビーム蒸着法でTi/Au電極を堆積して湿度センサを作成した。得られたMoO3センサを相対湿度域11~95%で評価した。
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
酸化物薄膜 

前のページに戻る