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J-GLOBAL ID:201702247726970323   整理番号:17A0751418

グレースケール有機発光ディスプレイのための遷移金属ジカルコゲン化物に基づくトランジスタ回路【Powered by NICT】

Transition Metal Dichalcogenide-Based Transistor Circuits for Gray Scale Organic Light-Emitting Displays
著者 (6件):
資料名:
巻: 27  号:ページ: ROMBUNNO.201603682  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1336A  ISSN: 1616-301X  CODEN: AFMDC6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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二タイプ遷移金属ジカルコゲン化物(TMD)トランジスタの有機発光ダイオード(OLED)ディスプレイの画素のスイッチング/駆動要素としての可能性を実証するために適用した。このようなTMD材料はp型とn型チャネルとして6nmの薄いWSe_2とMoS_2,ピクセルはスイッチングと駆動のための外部緑色OLEDとナノスケールの薄いチャネル電界効果トランジスタ(FET)から構成されている。スイッチとしてまたは運転者としてWSe_2FETの最大移動度は約30cm~2V~ 1s~ 1,ゲート電圧掃引範囲の線形領域である。OLEDピクセルのディジタル(ON/OFFスイッチング)およびグレースケールアナログ操作をうまく実証した。MoS_2ナノシートFETピクセルも実証した,OLEDの交互グレースケール動作に限定された。素子安定性問題は将来の研究のための残っているであるがTMDチャネルFETは,その高い移動度とI_D ON/OFF比のために,OLED画素には非常に有望であり,それらの応用のための新しい。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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セラミック・陶磁器の製造  ,  発光素子 
タイトルに関連する用語 (4件):
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