Yu Sanghyuck について
Department of Physics and Institute of Physics and Applied Physics, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul, 120-749, South Korea について
Kim Jin Sung について
Department of Physics and Institute of Physics and Applied Physics, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul, 120-749, South Korea について
Jeon Pyo Jin について
Department of Physics and Institute of Physics and Applied Physics, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul, 120-749, South Korea について
Ahn Jongtae について
Department of Physics and Institute of Physics and Applied Physics, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul, 120-749, South Korea について
Park Jae Chul について
Device Laboratory, Samsung Advanced Institute of Technology, 130 Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, 443-803, South Korea について
Im Seongil について
Department of Physics and Institute of Physics and Applied Physics, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul, 120-749, South Korea について
Advanced Functional Materials について
ナノシート について
画素 について
グレースケール について
FET【トランジスタ】 について
線形性 について
スイッチング について
発光 について
スイッチ について
トランジスタ について
ディジタル方式 について
チャネル について
表示装置 について
移動度 について
ゲート電圧 について
ナノスケール について
電界効果トランジスタ について
MoS2 について
OLEDピクセル について
スイッチング について
WSe2 について
セラミック・陶磁器の製造 について
発光素子 について
グレースケール について
ディスプレイ について
遷移金属ジカルコゲン化物 について
トランジスタ回路 について