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J-GLOBAL ID：201702247732763161   整理番号：17A1771293

ナノスケール界面での接触面積とコンダクタンスの原子論的シミュレーション【Powered by NICT】

Atomistic simulations of contact area and conductance at nanoscale interfaces

著者 (2件)： Hu Xiaoli (Department of Mechanical Engineering, University of California, Merced, CA 95343, USA. [e-mail]) ,  Martini Ashlie
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 43  ページ： 16852-16857  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノスケール金プローブの間の界面とステップ端を持つグラファイト表面を横切るコンダクタンスを研究するために用いた原子論的シミュレーション。黒鉛テラスのコンダクタンスは荷重と共に増加し,界面における原子の位置から計算した接触面積にほぼ比例することが観察された。面積とコンダクタンス間の関係をさらにグラファイトステップ端の位置に相対的接触の位置を変化させて調べた。これらのシミュレーションは,実験的に測定したステップ端で以前に報告された電流ディップを再現し,傾向は,接触面積と界面における原子間距離の分布の両方の変化によって説明された。ここで報告した新しいアプローチは,原子スケールでのコンダクタンス,負荷と表面トポグラフィーの間の基本的関係の将来の研究の基礎を提供する。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 金 ,  電流 ,  *コンダクタンス ,  プローブ ,  *界面 ,  核間距離 ,  グラファイト
準シソーラス用語： 表面トポグラフィー ,  原子スケール ,  テラス ,  *原子論的シミュレーション ,  *接触面積 ,  *ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 顕微鏡法  (BK01040E) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノスケール ,  界面 ,  接触面積 ,  コンダクタンス ,  原子論的シミュレーション