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J-GLOBAL ID:201702247735796442   整理番号:17A0964836

信頼できる不揮発性メモリ技術と対策【Powered by NICT】

Reliable Nonvolatile Memories: Techniques and Measures
著者 (2件):
資料名:
巻: 34  号:ページ: 31-41  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0007C  ISSN: 2168-2356  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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編集者のノート:信頼性は新興メモリの開発における重篤な課題であり続けている。本論文では,著者らは,三種類の主要な新興メモリのための高信頼化技術の包括的な調査とこの分野における今後の可能な研究方向の概要を提供する。Yiran Chen,Duke大学Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
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半導体集積回路 
タイトルに関連する用語 (3件):
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