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J-GLOBAL ID：201702247788161135   整理番号：17A1723970

幾何学的に調整可能なフォトニック結晶共振器中の大面積成長MoS_2とその集積化【Powered by NICT】

Large-area grown MoS₂ and its integration in geometrically tunable photonic crystal cavities

著者 (6件)： Hammer S. (Lehrstuhl fuer Experimentalphysik 1, Universitaet Augsburg, Universitaetsstras&e 1, 86159 Augsburg) ,  Mangold H. M. (Lehrstuhl fuer Experimentalphysik 1, Universitaet Augsburg, Universitaetsstras&e 1, 86159 Augsburg) ,  Martinez-Ta D. (Chemistry, Materials Science & Engineering, University of California, Riverside, California 92521, USA) ,  Nguyen A. E. (Chemistry, Materials Science & Engineering, University of California, Riverside, California 92521, USA) ,  Bartels L. (Chemistry, Materials Science & Engineering, University of California, Riverside, California 92521, USA) ,  Krenner H. J. (Lehrstuhl fuer Experimentalphysik 1, Universitaet Augsburg, Universitaetsstras&e 1, 86159 Augsburg)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： CLEO/Europe-EQEC  ページ： 1  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単分子層遷移金属ジカルコゲン化物(TMD)は,最近,その特徴的な光学的およびスピンの性質のため,フォトニクスの分野で大きな関心を集めている。バルクTMD材料,間接バンドギャップ半導体であるとは対照的に,単層TMDは高度に1と2eV[1]の範囲の直接バンドギャップのために光学的に活性であった。光学場にTMD励起子の結合はナノフォトニック共振器との統合によって著しく増進した。例えば,二次元GaPフォトニック結晶共振器(PCC)[2,3]ならびにマイクロディスク共振器[4]上に移しTMD単分子層の結合系における増強された光抽出,Purcell増強された発光の特徴ともレーザ発振を報告した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 単分子層 ,  二次元 ,  リン化ガリウム ,  励起子 ,  半導体 ,  レーザ発振 ,  *共振器
準シソーラス用語： 結合系 ,  マイクロディスク共振器 ,  光学場 ,  直接バンドギャップ ,  間接バンドギャップ ,  フォトニクス ,  *大面積 ,  *フォトニック結晶共振器 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 幾何学 ,  フォトニック結晶共振器 ,  大面積 ,  成長 ,  集積化