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J-GLOBAL ID：201702247801690144   整理番号：17A1627386

再移植SiO_2~-ホストマトリックスへのMRO随伴モード:XPSとDFTに基づくシナリオ【Powered by NICT】

The MRO-accompanied modes of Re-implantation into SiO₂-host matrix: XPS and DFT based scenarios

著者 (8件)： Zatsepin A.F. (Institute of Physics and Technology, Ural Federal University, Mira Str. 19, 620002 Yekaterinburg, Russia) ,  Zatsepin D.A. (Institute of Physics and Technology, Ural Federal University, Mira Str. 19, 620002 Yekaterinburg, Russia) ,  Zatsepin D.A. (M.N. Miheev Institute of Metal Physics of Ural Branch of Russian Academy of Sciences, 18 Kovalevskoj Str., 620990 Yekaterinburg, Russia) ,  Boukhvalov D.W. (Department of Chemistry, Hanyang University, 17 Haengdang-dong, Seongdong-gu, Seoul 133-791, South Korea) ,  Boukhvalov D.W. (Theoretical Physics and Applied Mathematics Department, Ural Federal University, Mira Street 19, 620002 Yekaterinburg, Russia) ,  Gavrilov N.V. (Institute of Electrophysics, Russian Academy of Sciences-Ural Division, 620016 Yekaterinburg, Russia) ,  Shur V. Ya (Institute of Natural Sciences, Ural Federal University, 51 Lenin Ave, 620000 Yekaterinburg, Russia) ,  Esin A.A. (Institute of Natural Sciences, Ural Federal University, 51 Lenin Ave, 620000 Yekaterinburg, Russia)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 728  ページ： 759-766  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルス再移植によるSiO_2~-ホストにRe埋め込みの次の成長台本をXPSとDFT電子構造認定後誘導されたと考察した(i)低Re不純物濃度モードは酸素空格子点の近傍におけるRe_2O_7のような原子構造と電子構造を組み合わせた置換型と格子間不純物の形成を→;(ii)高いRe不純物濃度モード→原子構造のようなReO_2~-の形成を伴う間質性Re金属クラスタの作製と(iii)Re不純物濃度増加と共に中間過渡モード,格子間欠陥クラスタの前駆体が出現し,マトリックス構造における成長している場合が生じる。Re金属寄与大部分最終価電子帯構造への増幅領域は中間過渡モードの配列の一つであることが分かった。品質考察モードの大部分が出現した混合欠陥配置のためにa SiO_2マトリックスの初期酸素サブネットワークのMRO(中範囲規則度)歪を伴っていたことを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 不純物 ,  パルス ,  前駆体 ,  品質 ,  電子構造 ,  価電子バンド ,  酸素 ,  原子構造 ,  クラスタ化 ,  金属クラスタ ,  *不純物濃度
準シソーラス用語： 中範囲規則度 ,  欠陥クラスタ ,  酸素空格子点 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： シリカ ,  Oxides ,  XPS ,  DFT ,  レニウム ,  ドーピング ,  クラスタ化 ,  相転移

分類 (1件)： 電子構造一般  (BM02010K)

タイトルに関連する用語 (7件)： 再移植 ,  マトリックス ,  MRO ,  随伴 ,  XPS ,  DFT ,  シナリオ