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J-GLOBAL ID:201702247887491798   整理番号:17A1239850

イオンビームにより実現した単離されたグラフェン共振器の面内電気的連結性と近接場濃度【Powered by NICT】

In-Plane Electrical Connectivity and Near-Field Concentration of Isolated Graphene Resonators Realized by Ion Beams
著者 (10件):
資料名:
巻: 29  号: 30  ページ: null  発行年: 2017年 
JST資料番号: W0001A  ISSN: 0935-9648  CODEN: ADVMEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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グラフェンプラズモンは,極端な閉じ込めと電気的可変同調性から利益を得る光-物質相互作用における大きな機会を提供する。構造化グラフェン共振器を3Dおよび操作可能なプラズモン共鳴における増強された閉じ込めを持ち,ナノスケールでのセンシングと放出制御への応用の可能性。マスクリソグラフィーにより得られたグラフェン境界に加えて,イオンビームにより設計されたグラフェン欠陥は効率的なプラズモン反射を示した。本論文では,イオンビーム直接描画により達成され構造化グラフェンの近接場応答を研究した。グラフェンナノ共振器は30nmよりも良好な空間分解能で容易かつ正確に作製した。呼吸モードはグラフェンディスクで観察された。非晶質炭素は共振器におけるエッジモードの応答を弱める周辺が,一方分離した共振器面内電気的接続に,近接場はゲート同調証明した。グラフェン2次元共振器の近接場ゲート同調の実現が物質を有する調整可能な近接場結合を開く。さらに,操作した近接場閉込め分布を持つグラフェン非同心環を実証した,四重極プラズモンモードが励起される。近接場写像のエンジニアリングを可能にするある領域内の3.8×10 4λ02のスケールでの濃度を明らかにした。イオンビーム直接描画による電気的に同調可能なグラフェンナノ共振器の実現は,ナノスケールでの発光とセンシングの能動操作に有望である。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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炭素とその化合物 

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