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J-GLOBAL ID:201702247895986837   整理番号:17A1521736

GaNベース薄膜LEDフリップチップの表面構造設計と光抽出効率研究【JST・京大機械翻訳】

Design of Surface Textures for High Light Extraction Efficiency GaN-based Flip-chip TFLEDs
著者 (3件):
資料名:
巻: 38  号:ページ: 338-346  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1380A  ISSN: 1000-7032  CODEN: FAXUEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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FDTD法を用いて、表面微細構造の窒化ガリウム基フリップ薄膜LEDチップの光抽出効率を研究した。表面構造を最適化することにより,p-GaN層の厚さによる光抽出効率の変化を調べた。研究により、表面フォトニック結晶と六角錐構造を有するデバイスの光抽出効率の最大値は、表面のないマイクロ構造デバイスよりそれぞれ56%と97%高いことが分かった。二種類の表面構造はいずれもデバイスの光抽出効率を有効に高めることができるが、フォトニック結晶を採用する方案はp-GaN厚さと共振器長に対して極めて厳しい要求がある。六角錐構造を用いると、より高い光抽出効率が得られるだけでなく、実験上の材料の外部成長とデバイスの調製の困難さも大幅に低減される。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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発光素子 

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