抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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本論文では,同時に不揮発性メモリとして動作し,メモリチップへの追加論理回路なしreconfigureインメモリ・論理演算を実施できるかもしれない新しいスピン移動トルク磁気ランダムアクセスメモリ(STT MRAM)アレイの設計を提案した。計算出力は,改良した周辺回路によって典型的なMRAMビットセルのような読出し簡単にすることができた。このような固有インメモリ計算はデータを処理する局所的に用いることができ,高精度要求との複合体計算のための「調理」データを一次処理装置(CPUやGPU)であった。電力に飢えていると長距離データ通信を大きく減少させ,さらに記憶内の極端な並列性をもたらした。本研究では,著者らはさらにインメモリ・前処理方法論の有効性を実証する事例研究としてインメモリ・エッジ抽出アルゴリズムを提案した。シミュレーション結果は,このエッジ抽出法は,グレースケール画像のための8xにデータ通信を減少させ,システムのエネルギー消費を大幅に減少させることを示した。一方,F測度の結果は,従来のエッジ検出演算子と比較してのみ~10%分解,Prewitt,SobelおよびRobertsなどを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】